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深圳市
Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV5128EDBLL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC Der IS61WV5128EDBLL-10BLI ist ein schneller statischer RAM-Speicher mit 4.194.304 Bit, der in 524.288 Wörter à 8 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem Gerät mit hoher Leistung und geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Eingänge Chip Enable und Output Enable (CE und OE) ermöglicht. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Features Einzelne Stromversorgung Drei Zustandsausgänge Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau
26/05/20
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产品号
001758877
ECCN
EAR99
HSCode
8542319099
产品说明书
停产
描述
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA
SKU
MCM24999XS---
类目
包装类型
TRAY
SPQ
1
产地
--
净重
0.228克
库存分类
--
商品号
B000044626346
商品名
SRAM
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Yes
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EAR99 ECCN号 EC0001
  • 区域中国
  • 级别 NLR
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8542319099 编码 CN8542319099H
  • 名称其他用作处理器及控制器的集成电路
  • 国家中国
  • 监管
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  • 进口税率0.00%
  • 出口税率0.00%
  • 对美税率0.00%
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