美印计划共建军用半导体工厂

9月25日消息，美国白宫发布消息称，美国将与印度合作建一个半导体工厂。

据报道，此次建设的工厂主要用于生产发射红外线所需的半导体产品，以及抗干扰能力更强、适用于军用电子产品的氮化镓和碳化硅半导体材料。

这些材料与以硅晶圆为原料的传统半导体产业不同，处于发展早期阶段，目前应用场景较为单一，有一定发展潜力。该项目将得到印度半导体计划的支持，并将成为印度初创公司Bharat Semi、印度图像传感器公司3rdiTech和美国太空部队之间战略技术合作的一部分。

据印度媒体报道，这是美国军方首次将此类工厂设置在印度，将成为印度首个专注军事领域半导体设备需求的工厂。

报道称，印度的年轻芯片工程师能够帮助美国军方大幅降低制造此类产品的成本。美国对印度的技术转让也使得印度成为全球少数能够制造此类产品的国家。

印度计划从2023年开始，提供最高达100亿美元的补贴预算，以吸引对印度半导体产业的投资，补贴比例可达项目总投资的50%至70%。印度还规划在古吉拉特邦打造“半导体之城”，旨在吸引全球芯片制造商。印度塔塔集团正着手建立一个高标准的晶圆厂，目标占据全球半导体晶圆市场10%的份额。

尽管印度力推“半导体自给自足”，印度面临半导体行业专业人才短缺的挑战，需高薪引进国外专家并加速本土工程师的成长。分析指出，印度制造业的国际竞争力普遍不足，半导体产业的机会在于迎合美国供应链“友岸外包”的需求，但这一策略本身难以构建持久的国际竞争力。

彭博社社论质疑，印度政府的补贴政策似乎偏好莫迪家乡古吉拉特邦，该地区在半导体制造的关键条件上并无突出优势，这种非市场化补贴恐不利于产业健康发展。评论警告，不切实际的宏大计划可能导致巨额补贴效率低下。对莫迪而言，更重要的是依托印度蓬勃发展的电子产品组装业，逐步向上游产业链延伸，吸引高价值的制造企业落户印度，利用本国市场和资源推动产业升级。