国产最大容量新型存储器芯片在光谷面世

9月29日，光谷企业新存科技（武汉）有限责任公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。

图为研发人员在讨论芯片封装工艺细节。

NM101 基于新型材料电阻变化原理，采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件，单芯片容量达 64Gb。

新存科技 NM1013D 存储器芯片支持随机读写，较市面已有大容量非易失性产品读写均提速 10 倍以上的同时寿命也增加了 5 倍，能大幅提升系统解决方案的性能。

新存科技总经理刘峻表示：NM101 的研发成功，是新存科技团队多年自主研发的成果。这款芯片可以为我国的数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储解决方案，彰显了国内新型存储技术持续创新的特点。

新存科技作为一家专注于新型三维存储芯片研发、生产与销售的高科技企业，自成立以来便致力于技术创新。

图为新型三维存储器芯片（左）和晶粒（右）。

图为新型三维存储器芯片（左）和芯片晶粒（右）。

图为新型三维存储器芯片（左）和芯片晶粒（右）。