安森美与美国汽车零件供货商BorgWarner签署碳化硅

7月18日，功率半导体大厂安森美宣布与美国汽车零件供货商博格华纳（BorgWarner）签署了总价值超10亿美元的碳化硅合作协议。根据协议，博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。

安森美将提供高性能的EliteSiC技术，同时保持电动汽车主驱市场所需的高标准质量、高可靠性及供应稳定性，而博格华纳会在碳化硅主驱逆变器采用EliteSiC技术，将得益于更高的功率密度和能效，进而增加电动汽车的续航里程并提高整体性能。

博格华纳公司副总裁，动力驱动系统总裁兼总经理Stefan Demmerle说：「安森美持续进行战略投资，在其整个供应链中加速提升SiC产能，这让我们有信心能满足市场现在和未来对我们解决方案不断增长的需求。」

安森美电源方案事业群执行副总裁兼总经理Simon Keeton说：「在主驱逆变器中集成EliteSiC技术，可以提高每加仑汽油的等效里程数（MPGe），这有助于缓解续航里程焦虑--这是电动汽车被更广泛采用的主要障碍之一。安森美可提供从芯片到系统级的支持，过往执行记录良好，能更快为博格华纳提供领先业界的基于SiC的解决方案，以配合其产品上市需求。」

当前，随着电动化和智能化方向发展的汽车市场对芯片的巨大需求，安森美今年以来在SiC方面动作不断。

据不完全统计，安森美今年已与7家汽车相关企业达成合作。

1月，安森美宣布将其SiC系列命名为“EliteSiC”。同时，与现代汽车、起亚集团和大众汽车合作。

2月，安森美正式接管了格芯位于美国纽约州的12英寸晶圆厂，收购价格约合人民币30亿元。这使得安森美的晶圆工艺从200mm升级为300mm，还获得了格芯65nm、45nm CMOS的技术节点。

4月，安森美宣布与极氪智能科技（ZEEKR）签订了长期供货协议，将为极氪提供EliteSiC碳化硅功率器件。

5月，安森美高管表示，公司正在考虑投资20亿美元用于提高SiC芯片的生产，或在美国或韩国等进行扩张，目标是到2027年占领全球碳化硅汽车芯片市场40%的份额。

同月，安森美官方宣布，上能电气将在其公用事业级太阳能逆变器和200kW储能系统（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模块（PIM）；安森美宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于电动汽车充电桩。

6月，安森美宣布已经与纬湃科技（Vitesco）签署价值19亿美元（135亿元）的SiC供应协议，安森美将在未来十年为纬湃科技供应SiC产品。纬湃科技也将导入安森美高效EliteSiC MOSFET来制造逆变器和电动车驱动器项目。

SiC相较于Si，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。

从产业链来看，SiC产业链涉及衬底、外延、器件设计、器件制造和封测等一系列环节。其中，碳化硅衬底和外延片的价值量占比超过一半，衬底成本最大。

据TrendForce集邦咨询化合物半导体研究处统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。