ST：已量产氮化镓器件PowerGaN

意法半导体已开始量产e-mode PowerGaN HEMT器件，该器件简化了高效功率转换系统的设计。STPOWER GaN晶体管提高了墙壁适配器、充电器、照明系统、工业供电、可再生能源应用和汽车电气化等应用的性能。

SGT120R65AL和SGT65R65AL是该系列最先推出的两款产品，是工业级650V常断G-HEMT，采用PowerFLAT 5x6 HV表面贴装封装。这两款产品的电流额定值分别为15A和25A，25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，还具有3nC和5.4nC的总栅极电荷以及低寄生电容，可确保开启/关闭时能量损失最少。开尔文源极连接可实现栅极驱动优化。这两款新型GaN晶体管除了减小电源和适配器的尺寸和重量之外，还可使效率提高、工作温度降低、使用寿命延长。

未来几个月，意法半导体将推出新型PowerGaN产品，即汽车级器件，同时有其他功率封装方法可供选择，包括应用于高功率封装的PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12。

意法半导体表示，其G-HEMT器件有助于功率转换领域向GaN宽带隙技术过渡。与硅晶体管相比，GaN晶体管具有相同的击穿电压和RDS(on)，但其总栅极电荷和寄生电容更低，且反向恢复电荷为零。这些特性提高了GaN晶体管的效率并增强了其开关性能，实现了更高的开关频率，使无源元件尺寸缩小，从而提高功率密度。因此，应用GaN晶体管可在保持高性能的情况下缩小尺寸。未来，GaN有望实现全新功率转换拓扑，进一步提高效率并减少功率损耗。

针对PowerGaN离散产品，意法半导体具备高产能，可实现快速量产，以满足客户需求。采用PowerFLAT 5x6 HV封装的SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市，订购100件时单件售价分别为2.60美元(SGT120R65AL)和5.00美元(SGT65R65AL)。