瑞萨电子豪掷3.39亿美元，溢价35%收购Transphorm

日本半导体巨头瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布了一个大手笔交易，将以溢价35%的价格收购美国氮化镓（GaN）功率半导体厂商Transphorm。

根据瑞萨电子的声明，他们将通过子公司以每股5.10美元的价格收购Transphorm的所有已发行普通股，总价值约为3.39亿美元。这一价格相较于Transphorm 1月10日的收盘价（3.79美元）高出约35%。

瑞萨电子表示，通过收购Transphorm，他们将获得应用于功率半导体的关键下一代材料——氮化镓（GaN）技术。这一技术有望为瑞萨电子在电动车、数据中心、AI和再生能源等领域带来显著的市场机会。

日本市场研究机构富士经济（Fuji Keizai）的一份报告预测，由于电动车和其他车辆的电动化需求，加上太阳能发电等再生能源的普及，2023年全球功率半导体市场规模预计将增长12.5%，达到3兆186亿日圆。到2035年，这一市场规模预计将扩大到13兆4,302亿日圆，相较于2022年增长约400%。

其中，氮化镓（GaN）功率半导体市场尤为引人注目。2023年，GaN功率半导体市场规模预计将增长32.6%，达到57亿日圆。到2035年，这一市场预计将扩大到740亿日圆，相较于2022年增长约16.2倍。

Transphorm的股价在瑞萨电子宣布收购消息后大幅上涨，11日收盘价创近10个月新高，涨幅高达25.86%，收于4.77美元。

瑞萨电子表示，在获得Transphorm股东和相关监管当局的批准后，预计将在2024年下半年完成这笔收购交易。这次收购不仅将使瑞萨电子在氮化镓功率半导体领域取得领先地位，也将为其未来的业务增长奠定坚实基础。