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    芯闻早报| 英飞凌与本田签署谅解备忘,三星 3nm GAA 工艺试产失败

    作者:武花静@芯闻道 阅读335 2024/02/04 10:49:59 文章 原创 公开

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    今日头条:

     

    英飞凌与本田签署谅解备忘录,在汽车半导体领域展开合作

     

    近日,英飞凌和本田汽车签署谅解备忘录以建立战略合作。本田选择英飞凌作为半导体合作伙伴,两家公司还同意继续就供应稳定性进行讨论。英飞凌将在高级驾驶辅助系统等领域为本田提供技术支持。

     

    消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败

     

    据韩媒消息,三星的3nm GAA 生产工艺存在问题,尝试生产适用于Galaxy S25 / S25+手机的Exynos 2500芯片,均存在缺陷,良品率0%。报道指出由于3nm工艺的Exynos 2500芯片因缺陷未能通过质量测试,导致后续Galaxy Watch 7的芯片组也无法量产。

     

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