ASML High-NA EUV光刻机实现首次曝光

据路透社报道，ASML和英特尔本周共同宣布，英特尔成功实现了ASML的High-NA光刻系统的一个重要里程碑，即成功引导光源至晶圆上的抗蚀剂。这一突破意味着光源与反射镜已正确对齐，是启动过程中的关键一步。

ASML的Twinscan EXE High-NA EUV光刻机配备了0.55数值孔径的投影光学元件，单次曝光能够实现低至8nm的分辨率，低于典型的Low-NA EUV系统所达到的13.5nm分辨率。目前，首台系统位于荷兰费尔德霍芬的ASML实验室，而第二台正在俄勒冈州希尔斯伯勒附近的英特尔工厂进行组装。

ASML发言人Marc Assinck解释道：“从技术上讲，这第一缕光实际上是晶圆上的第一缕光。光源已经开始工作，现在我们在晶圆上有了抗蚀剂的光子。”

目前，ASML的专家仍在荷兰对High-NA工具进行校准，接下来该机器需要打印其首个测试图案。英特尔最初在加利福尼亚州圣何塞举行的SPIE光刻会议上披露了这一进展。英特尔正在俄勒冈州希尔斯伯勒附近的工厂组装其首台Twinscan EXE：5000光刻机，主要用于工艺开发，并计划在未来几个月内完成组装。

在最近的一次测试中，位于费尔德霍芬的机器成功地在涂有光刻胶的硅晶圆上展示了其功能，表明它已准备好进行电路图案的打印。这一成就被誉为“晶圆上的第一缕光”，标志着高数值孔径EUV光刻领域取得了重要进展。

预计未来几年，领先的芯片制造商如英特尔、三星和台积电将采用高数值孔径EUV光刻技术。英特尔已经表示有意将该系统应用于其基于英特尔14A节点的下一代芯片生产中。

光源是极紫外（EUV）光刻工具中最复杂的组件之一。目前，ASML和英特尔均未透露Twinscan EXE光源的最大性能（瓦数）。