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    长鑫存储与通富微电开发HBM

    编者:曾颖@芯闻道 阅读2690 来源: IC联盟 2024/05/16 02:00:02 文章 外链 公开

    有消息传:中国最大的DRAM芯片制造商长鑫存储与芯片封装测试公司通富微电子(002156.SZ)合作开发了 HBM芯片样品,据三名知情人士透露。其中两人表示,这些芯片正在向客户展示。


    另一个例子是,企业数据库 Qichacha的文件显示,武汉新芯正在建设一家工厂,每月可生产3,000片12英寸HBM晶圆,预计于今年2月开始建设。


    受到相关消息影响,通富微电股票大涨,大家咋看?


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