联电携英特尔着力12nm FinFET制程，预计2027年投产

据联华电子官网消息，5月30日，联电举行了其2024年年度股东大会。

会议中，在营运成果汇报中提到，联电正积极开发的12nm FinFET制程技术平台（12FFC），相对于14FFC，性能大幅提升，芯片尺寸更小，功耗更低，可充分发挥FinFET在性能、功耗、和闸密度所具备的优势，可广泛应用于各种半导体产品。预计2026年开发完成，2027年量产。

此前消息，今年1月联电与英特尔宣布双方将合作开发12nm FinFET制程平台，以应对移动、通信基础建设和网络等市场的快速成长。

会议文件中显示，与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点，是联电追求具成本效益的产能扩张和技术节点升级策略中重要的一环。不仅能协助客户顺利升级到新的关键技术节点，同时也将受惠于扩展北美地区产能带来的供应链韧性。此次合作，希望利用双方的互补优势，以扩大联电的潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。