英飞凌完成居林SiC晶圆厂第一阶段建设

据消息，英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。英飞凌计划于8月正式启用居林3号晶圆厂模块，SiC生产将于2024年底开始。

该晶圆厂作为马来西亚政府为提高该国芯片产量而制定的1000亿美元计划的核心。SiC产线的生产设备正在安装中，晶圆厂的设计可适应较新的设备类型、产量和结构要求。

去年八月，英飞凌宣布将在马来西亚居林建造全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂，该计划得到了客户支持，包括汽车与工业应用领域的50亿欧元客户订单，以及约10亿欧元的预付款。

在未来五年内，英飞凌将再投入多达50亿欧元进行居林第三厂区（Module Three）的二期建设。到2030年末，这项投资再加上计划在菲拉赫与居林工厂的200毫米SiC改造，有望使SiC的年营收达到约70亿欧元。

英飞凌和 Wolfspeed 正在激烈角逐全球最大 200 毫米晶圆厂的头衔，尽管两家公司的规划产能均尚未公布。

此前，意法半导体 (ST Microelectronics) 在位于意大利卡塔尼亚的试验生产线安装后， 获得了全球首个综合碳化硅晶圆工厂和量产工厂的资金批准。