长江存储：起诉美光侵犯其11项专利

7月22日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。

长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。

长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品（Y2BM 系列），侵犯了长江存储在美国提交的 11 项专利或专利申请。

2023 年 11 月，长江存储就曾在美起诉美光专利侵权，涉 8 项专利；2024 年 6 月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。

尽管一直受到美国政府的打压，长江存储仍继续努力透过原有的设备，及大陆国产设备发展3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。

并且在今年早些时候，长江存储宣布，已设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水准，这大大改善了廉价SSD的特性。此外，长江存储还在开发基于Xtacking 4.0架构的晶片，最快可能会在今年底出现，层数超过了300层。

（原文标题：长江存储再度“亮剑”，在美国起诉美光侵犯其 11 项专利）