80亿！天域半导体碳化硅外延项目即将试产

8月13日，据东莞发布官微消息，广东天域半导体总部和生产制造中心项目即将试产。

资料显示，该项目总投资80亿，位于松山湖生态园，总占地面积约114.65亩、建筑面积约24万平方米，建设内容包括厂房、研发楼、宿舍以及配套设施等，建成后用于生产6英寸/8英寸碳化硅（SiC）外延晶片，产能达150万片/年。项目建设周期为2023年至2026年，未来预计年产值约100亿元。

集邦化合物半导体了解到，作为一家SiC外延晶片市场营销、研发和制造厂商，天域半导体是国内最早实现6英寸SiC外延晶片量产，20kV级以上的厚外延生长，缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术，多层连续外延生长技术的企业。

2023年2月，天域半导体完成约12亿人民币B轮融资，投资方包括海富产业基金、粤科鑫泰股权投资基金、南昌工业控股、嘉元科技、招商资本、乾创投资等，本轮融资资金将继续用于增加SiC外延产线的扩产以及持续加大SiC大尺寸外延生长研发投入。

目前，天域半导体正在积极布局8英寸SiC外延片产线建设，有望成为国内较早实现8英寸量产的企业之一。