日本开发出EUV光刻设新技术，耗电量降至1/10

现有设备的原理是使用激光器产生EUV，通过10个镜子曲折反射到达晶圆，实现电路图案的转印。EUV的能量每经一次反射就会衰减40%，仅有1%左右的能量能够到达晶圆。新技术只用4个反光镜，有10%以上的能量能够到达晶圆……

日本冲绳科学技术大学院大学开发出一项技术，能够大幅降低制造最尖端半导体所需的极紫外线（EUV）光刻设备的耗电量和制造成本。这项技术将从设备的光源到光刻的EUV路径上配置的反光镜数量从原来的10个减少到4个。这样可以显著减少EUV光源的耗电量。该大学将与企业合作，力争实现这种设备的日本国产化。

上述新技术由冲绳科学技术大学院大学的新竹积教授开发。目前，EUV光刻设备由荷兰半导体制造设备巨头ASML控股独家供应。现有设备的原理是使用激光器产生EUV，并通过10个镜子曲折反射到达晶圆，实现电路图案的转印，非常复杂。

EUV的能量每经一次反射就会衰减40%，因此最终仅有1%左右的能量能够到达晶圆。而新技术只用4个反光镜，有10%以上的能量能够到达晶圆。以EUV光源为中心，整体耗电量可减至原来的约十分之一。设备的结构也可大幅简化，因此当前估计需要200亿日元左右的设备引入成本也几乎可以减半。

冲绳科学技术大学院大学今后将利用实际设备二分之一大小的装置，使用发光二极管（LED）进行验证试验，然后从2025年开始利用EUV进行验证。新竹教授表示，“我们希望与企业合作，最早2026年开发出第一台设备”。