总投资约300亿元，三安意法半导体项目将收尾

据重庆新闻联播报道，近日，三安意法半导体项目已进入收尾阶段，衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。

据悉，该项目总投资约300亿元，将建设一个技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆工厂，全面整合了8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。

此前消息显示，该项目包括一家车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。其中，车规级功率芯片制造企业，由国内化合物半导体龙头企业三安光电和国际半导体巨头意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元，达产后，每年能生产48万片8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片，主要应用在新能源汽车主驱逆变、充电桩和车载充电器上。