珠海：拟前瞻布局氧化镓等第四代半导体材料

近日，珠海市工业和信息化局公开征求《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案（2025—2027年）（征求意见稿）》意见，涉及到第三代半导体相关内容。

其中提到，重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。

在碳化硅领域，总投资约100亿元的珠海奕源半导体材料产业基地项目于2024年11月14日在金湾区半导体产业园开工建设。

该项目整体规划面积267亩，计划分两期建设，一期计划2026年2月实现投产。项目核心产品包括合成石英部件、碳化硅功率模组载板等半导体关键材料。其中，碳化硅功率模组载板是碳化硅模组封装的核心组件，是解决碳化硅高功率模块散热和提升可靠性的关键材料。

在氮化镓领域，珠海聚焦于英诺赛科8英寸硅基氮化镓生产线。2017年11月9日，英诺赛科自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产。