2022年闪存峰会：存储巨头们对技术未来的看法
本月初，年度存储盛会FMS在美国隆重举办。会上，来自全球的存储巨头分享了他们的技术未来的看法和观点。
Techinsights首先指出今年会议的关键词似乎是 ：
●CXL-Memory (CXL-DRAM, CXL-NAND)；
●Optane XPoint Memory 倒闭；
●新的和下一代 2XX 3D NAND 产品；
●Chiplets；
●基于ZNS的存储系统。
在会议期间和面对面会谈期间，进行了许多关于关键词的演示和讨论。新的存储产品送样，例如 BittWare PCIe 5.0/CXL FPGA 加速器、IBM Elastic Storage System 3500、Infinidat InfiniBox SSA II、铠侠 CM7 系列 E3.S 企业 NVMe SSD、Phison X1 基于控制器的 SSD 平台、Pliops XDP、三星内存- 推出semantic CXL SSD、ScaleFlux CSD 3000 SSD、Solidigm P41 Plus SSD with 144L-Q、Supermicro Petascale All-Flash Server with DDR5 and PCIe5.0、Swissbit PCIe-SSD N-30m2，以及YMTC 的X3-9070 with Xtacking 3.0出现在他们展台上。
在 3D/4D NAND 和 SSD 技术方面，行业领导者在主题演讲中宣布了他们的新产品和芯片样品，当中包括了三星、SK 海力士/Solidigm、铠侠、西部数据和长江存储。
从主题演讲中要了解的一些事情：
● 三星聚焦推动大数据市场的4个技术进步领域;数据移动、数据存储、数据处理和数据管理。三星宣布推出“内存语义SSD”，它结合了存储和DRAM内存，AI和ML优化存储的优势。该公司于5月开发的业界首款UFS 4.0移动存储被推出。计划于本月投入量产。三星重点介绍了SmartSSD和CXL DRAM，它们旨在避免当前内存和存储架构中的瓶颈。
● SK海力士最近于7月向客户交付了首款V8 238层512Gb TLC 4D NAND闪存，预计将于2023年上半年开始量产。SK海力士正在开发1Tb 238层产品。该公司还推出了首款基于DDR5 DRAM的CXL样品。Solidigm推出了P41 plus SSD，带有144L-Q。他们还在主题演讲中展示了世界上第一个工作五电平单元（PLC）SSD芯片样品，具有192L-Q，首次能够为每个存储单元存储五位数据，与四级单元（QLC）SSD相比，相同封装内的数据增加了25%。
● KIOXIA推出基于MLC（2位/单元）BiCS闪存的第二代XL-FLASH单片机解决方案。第1代是基于SLC的。Gen2 XL-FLASH的内存容量为256Gb /芯片。产品样品出货计划于11月开始，批量生产预计将于2023年开始。
● YMTC 推出了 X3-9070 TLC 3D NAND 闪存示例产品，这些产品由 Xtacking 3.0 架构、第 4 代.3D NAND（1Tb TLC 芯片，可能是 232L 6 平面设计）提供支持。
关于英特尔最近宣布退出的 Optane XPoint Memory，FMS 2022 大会上召开了特别会议。简而言之，Optane（XPoint Memory）不具有成本效益，也不会成为未来产品的一部分。虽然Optane XPoint Memory正在逐渐衰落，但它为持久内存的价值铺平了道路，并被用于设计和制造创新的存储系统。此外，它确实帮助推动了CXL接口内存技术的发展。
会议的一些经验教训和讨论：
●XPoint是一个全新的PCM
●自 2016 年以来，英特尔傲腾 DIMM 和持久内存损失总计超过 70 亿美元
●光刻和产品成本限制了 XPoint 双层或四层堆叠，导致难以实现更高的密度（不再使用 Gen3）
●连贯持久内存的有限价值主张
●CXL接口SSD未来可能会取代傲腾持久内存或SCM（存储类内存）市场
从FMS2022开始，关于Memory的10大预测可以总结为：
●NAND 的未来是 NAND（不会被任何 EM/XPoint 取代）
●DRAM 的未来是 DRAM（不会被任何 EM/XPoint 取代）
●记忆墙是真实的，而且越来越糟
●三星和 SK 海力士考虑成本和市场需求的不仅仅是揭示新技术节点，这与美光不同。
●计算存储/内存正在变得流行
●CXL将成为存储和数据中心的主流
●MRAM 在嵌入式设备中越来越普遍
●FLASH+HDD等混合存储系统仍未死
●元数据管理越来越重要
●Optane XPoint 内存已不复存在，CXL-DRAM/NAND 内存将取而代之，用于 SCM 应用。