英飞凌将领导氮化镓研发项目，爱立信、Nexperia等共同参与

英飞凌日前宣布，将领导一个名为ALL2GaN的欧洲联合科研项目，开发从芯片到模块的集成氮化镓 (GaN) 功率设计。这一项目将有45家合作伙伴共同参与，包括比利时研究和工艺开发实验室imec、Nexperia、爱立信等。项目预算6000万欧元，为期三年，旨在利用人工智能加强GaN功率技术，以各种方式集成GaN芯片。这一项目成果将使欧洲芯片更快地集成到电信、数据中心和服务器场等应用中。