华为公开半导体芯片专利：可提高三维存储器密度

据天眼查显示，华为技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条名称为「半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备」，公开号为CN116940110A。

专利摘要显示，本申请涉及半导体芯片技术领域，旨在如何提高三维存储器的存储密度。该半导体结构包括外围堆叠层、电容器、第一接触柱和第一信号线，外围堆叠层包括层叠设置的多个膜层对，膜层对包括第一介质层和栅极层，多个膜层对形成多个台阶。电容器包括第一电极和第二电极。第一接触柱位于第一目标台阶的上方，且一端与形成第一目标台阶的膜层对中的栅极层电连接，第一目标台阶为多个台阶中的一个台阶。第一信号线与第一接触柱的另一端电连接，第一信号线被配置为向栅极层传输第一电压信号，栅极层被配置为形成第一电极。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

华为指出，随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2D存储器的存储密度接近上限。为克服2D存储器带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器（3D存储器，也称作三维存储器），通过膜层的堆叠、微缩器件关键尺寸来提高存储密度。

上述三维存储器还包括外围电路，该外围电路与存储单元设置于三维存储器的不同区域。外围电路中包括金属-氧化物-金属（Metal-Oxide-Metal，简称MOM）电容器，基于此，如何减小MOM电容器所占区域的面积，增加存储单元所占区域的面积，以提高三维存储器的存储密度，成为本领域亟待解决的问题。