IGBT市场价格平稳，未现极端抢货行为

1. IGBT市场价格平稳，未现极端抢货行为

4月11日，针对近日有市场消息称IGBT“价格暴涨”“一芯难求”等情况，多家IGBT厂商向财联社记者反馈，并未出现传言的价格暴涨等情况。

士兰微证券部人士表示，“价格和客户谈好（后）一般不会轻易变更”，并称虽然新能源相关的下游需求旺盛，但其所处环节并未感受到极端的抢货氛围；

扬杰科技证券部人士告诉财联社记者，“正常，（IGBT市场）行情肯定是好的，但是我们这一块没有到紧缺的那种程度”。

Cinno Research半导体事业部总经理Elvis Hsu告诉记者：“IGBT在新能源汽车还有光伏及工控方面的需求一直是不错的，也是未来成长最大的部分。整体销售情况不错，价格还是比较平稳，没有出现特别夸张的涨幅，也没有极端抢货行情。”

先前有媒体报道，IGBT缺货问题至少在2024年中前难以解决。此前亦有消息指出，部分厂商IGBT产线代工价上涨10%。

IGBT具有高频、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”和新能源“芯片”。

据悉，IGBT由新能源汽车、充电桩、光伏、轨道交通四轮需求驱动。随着车用、工业应用所需用量大增，而产能扩增缓慢，客户认证需时间，加上特斯拉释出大砍碳化硅（SiC）用量75%消息，让可能成为替代方案之一的IGBT更受追捧。

供给方面，IDM厂商扩产较为缓慢。英飞凌德国新厂需等到2026年才能正式量产，安森美2023年产能已全部售罄。有供应链业内人士指出，在2022年下半年全球IDM的IGBT，已基本敲定2023全年供货。

乘着新能源大发展的东风，带来了国产IGBT大增长的春天。东亚前海证券指出，一方面，我国是全球最大的IGBT需求市场，产业具有较大的发展前景，但我国IGBT自给率不足20%，国产替代仍有较大的提升空间；另一方面，本土IGBT产品性能已经逐渐成熟，且部分产品性能可对标海外IGBT大厂产品，加速国产化IGBT产品市场渗透，逐步切入高端市场。 

2. DRAM价格连续第11个月下跌，机构预估Q3末触底

据日经网消息，因PC等领域需求疲软，客户端缩减采购量，DRAM价格进一步走跌。2023年3月指标性产品DDR4 8Gb批发价为每个1.50美元左右，环比下跌6%；4Gb产品价格1.20美元左右，环比下跌8%。两款产品价格均是连续第11个月下滑，且同比皆大减52%。当前存储市场依旧供应过剩，随着三星等存储大厂减产，供需有望缓慢走向平衡。Omdia分析师南川明指出，DRAM价格要触底，预估可能要等到Q3末。