美国企业对特定半导体设备及其下游产品提起337调查申请

中国贸易救济信息网5月29日发布消息，5月26日，美国Efficient Power Conversion Corporation 根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请，主张对美出口、在美进口及销售的特定半导体设备及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其知识产权。英诺赛科（珠海）科技有限公司、Innoscience America为列名被告。

公开资料显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司成立于 2015 年 12 月，由海归团队发起，主要业务为第三代半导体电力电子器件研发和生产。公司拥有中国首条 8 英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。当前产品涵盖 30V-650V 氮化镓（GaN）功率器件及 5G 射频器件，产品设计及性能均已达到国际先进水平。

氮化镓（GaN）是一种新兴的电力转换技术，有潜力在未来替代硅基半导体，实现能源效率和成本的优化。

据悉，美国Efficient Power Conversion Corporation（EPC ）近日还向加州地区法院提起诉讼。公司声称，国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了其四项氮化镓技术专利，并寻求禁售与侵权赔偿。在起诉书中，EPC 将矛头对准了两名曾在该公司任职的高管。EPC 认为，其首席技术官和销售总监加入英诺赛科后不久，英诺赛科便推出了与 EPC 关键性能指标几乎相同的产品。此外，英诺赛科还展开了进攻性的营销活动，积极向 EPC 公司的客户推销其产品。

业内认为，本次专利纠纷反映了氮化镓技术在全球范围内受到越来越多关注和竞争的现状。氮化镓技术有望将全球能源效率提高 15%-20%，这将有助于降低能源成本、减少有害排放，并支持美国和中国等国家的能源安全和可持续发展目标。专家预测，在未来两到三年内，氮化镓市场将达到数十亿美元的规模，并在未来十年内达到约数百亿美元的峰值。