三星、美光Q1或涨价20%

1月3日，据台媒电子时报消息，继NAND Flash从2023年下半一路强势拉涨报价后，内存模块业者传出，三星电子、美光等内存大厂，正规划第1季DRAM价格调涨15~20%。

业界人士称，上游原厂涨价焦点将从NAND转移至DRAM，如DDR4、DDR5成下一波调涨重点，以加速改善营运亏损。随着手机、服务器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场供应将持续紧张，从1月起将调涨DRAM新报价，借此催促客户须提前规划未来使用需求量。

DRAM涨幅看上20%

尽管市场需求尚未恢复稳定，但内存业界人士透露，近期收到三星提出预告，第1季DRAM报价至少将调涨15%起跳，至于NAND涨幅虽然没有明确提出，但预料仍将继续调涨，内存价格涨势将延续至2024年底。

还有内存模块业者向客户提出通知，2024年第1季预期三星、美光将相继调涨DRAM报价约15~20%，由于12月DRAM报价仅微幅调涨2~3%，明显低于3D TLC NAND涨幅约10%的表现。

虽然上游原厂从第1季启动DRAM补涨行情，内存模块业者认为并不意外，DRAM报价调涨动能主要仍来自于上游原厂的人为操作，且内部先前预判即将迎来单季涨幅约15~20%，近月来已陆续回补低价库存。

业界预期，随着上游原厂酝酿调涨DRAM报价，多家内存模块业者各自收到风声启动备货，预计供货给OEM厂的合约价可望延后一个季度跟进，预计从第2季起将全面反映DRAM涨势。

预计这波DRAM涨价由三星率先发动攻势，操作玩法几乎与2023年第3季NAND调涨相似，但未来DRAM涨幅能否如同NAND Wafer强劲攀升，需观察年后的市场需求表现。

虽然市场实质买气并未复苏，短期内交易需求较为平淡，预料第1季上半终端市场仍存在观望气氛，第1~2季将是关键，若主要应用出海口需求顺利衔接，内存荣景将确定大好，产业供不应求将无悬念。

NAND或再涨50%

NAND的涨价消息则在去年底就陆续放出。

在上月底，据中国台湾NAND相关业者表示，NAND芯片供应商将持续强力拉抬报价，预料还要再涨四成以上，才能让大厂跨过盈亏平衡点，要能赚钱，未来报价涨幅至少会达五成甚至更高。换言之，现在NAND芯片价格扬升只是涨价首部曲，下一波涨势好戏在后头，短期内将再迎来一波高达50%的「涨价」。

业界指出，由于NAND芯片利润比DRAM低，国际大厂都积极缩减NAND芯片产量，以三星为例，自去年9月起将NAND芯片减产幅度扩大到总产能50%，集中128层堆栈以下产品，目的是加速去库存与稳定价格，甚至准备在2024年中前逐步提高报价，计划每季涨价20%。

由于先前NAND芯片价格下跌太多，尽管合约价季涨幅看来不小，但距离芯片厂达到转盈还有一段距离，预期价格至上还要再涨四成，才能让供货商跨过损平基准点，因此，未来几季价格会相当强势。

从需求而言，预估2024年手机、PC出货量将分别年增5.3%、4.1%，其中新处理器平台将持续推升DDR5渗透率，随生成式AI将搭载于手机、PC上，AI学习数据储存需求将需要更大储存空间，将进一步推升NAND需求，服务器预估随景气逐步复苏，AI趋势将持续推升DDR5、HBM等需求。

在供给方面，今年第3季起，随大厂亏损收敛，库存持续改善有望在今年第4季、明年第1季全面去化，三星本季减产预估减产效应将在明年上半年发酵，明年DRAM价格仍能逐季成长。