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    台积电:调涨、降价、扩产

    作者:曾颖@芯闻道 阅读530 2024/07/10 03:26:12 文章 外链 公开

    3nm、5nm调涨,6nm、7nm降价


    7月8日消息,业内人士手机晶片达人爆料,台积电6nm、7nm产能利用率只有60%,明年1月1日起台积电会降价10%。


    与之相反的是,因3nm、5nm先进制程工艺产能供不应求,台积电明年将涨价5%-10%。


    业内人士表示,台积电3nm涨价底气在于,苹果、高通、英伟达与AMD等四大厂包揽台积电3nm家族产能,甚至出现了排队潮,一路排到2026年。


    受此影响,采用台积电3nm制程的高通骁龙8 Gen4价格将会上涨,消息称骁龙8 Gen4的最终价格将超过200美元,也就是说单一颗芯片的价格在1500元左右,相关终端价格预计也会有所上涨。


    对此,台积电方面表示,客户不要担心涨价,公司正在努力控制成本。


    相比之下,6nm、7nm制程工艺相对而言没有3nm那么抢手,台积电作出了上述降价举措。


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    台积电2nm,重磅消息


    据台媒报道,台积电2nm试运行将于下周开始,这要比预期的要早得多。


    台积电在微细制程领域一直处于芯片制造领域的领先地位,苹果是其最重要的客户。该公司早在去年 12 月就首次向苹果展示了其 2nm 芯片工艺,试产是在量产之前对计划使用的生产线工艺进行测试的阶段。


    早前的消息显示,台积电最新芯片技术的试生产预计最早要到 10 月才会开始。但现在,台积电把2nm的试产提前到7 月份举行,这是一个令人鼓舞的迹象。相关报道显示,台积电将于下周在位于台湾北部新宿科学园区的宝山工厂生产 2nm 半导体。2nm生产设备已于第二季开始进驻宝山厂区并安装完毕,第三季将进入试产阶段,比市场对第四季的预期要早,被解读为是为了在量产前加快步伐,确保良率稳定。


    值得一提的是,从相关报道看到,苹果将包下台积电首批的2nm全部产能。


    台积电2nm,跨入纳米片时代


    据台积电在官网中介绍,2nm技术采用该公司第一代纳米片晶体管技术,在性能和功耗方面实现了全节点跨越。预计 2025 年实现量产。


    台积电表示,公司主要客户已完成2nm IP设计并开始硅验证,台积电还开发出低阻值RDL(重新分布层)、超高性能金属-绝缘体-金属(MiM)电容器,以进一步提升性能。


    台积电 N2 技术将于 2025 年推出,无论是在密度还是在能效方面,它都将成为半导体行业最先进的技术。N2 技术采用领先的纳米片晶体管结构,将提供全节点性能和功率优势,以满足日益增长的节能计算需求。凭借我们持续改进的战略,N2 及其衍生产品将进一步扩大我们在未来的技术领先地位。


    与 N3E 相比,台积电预计 N2 将在相同功率下将性能提高 10% 至 15%,或在相同频率和复杂度下将功耗降低 25% 至 30%。至于芯片密度,该代工厂正在考虑将密度提高 15%,以当代标准来看,这是一个很好的扩展程度。


    根据台积电在之前于北美举办技术峰会上的介绍,公司在2nm上会有 N2P和N2X等系列节点。其中N2P 将在 2026 年底接替 N2。同时,整个 N2 系列将增加台积电的全新 NanoFlex 功能,该功能允许芯片设计人员混合和匹配来自不同库的单元,以优化性能、功率和面积 (PPA)。


    台积电当代的 N3 制造工艺已经支持类似的功能 FinFlex,该功能还允许设计人员使用来自不同库的单元。但由于 N2 依赖于全栅 (GAAFET) 纳米片晶体管,因此 NanoFlex 为台积电提供了一些额外的控制:首先,台积电可以优化沟道宽度以提高性能和功率,然后构建短单元(以提高面积和功率效率)或高单元(以提高 15% 的性能)。


    继 N2和性能增强型 N2P之后,电压增强型 N2X 也将于 2026 年问世。尽管台积电曾表示 N2P 将在 2026 年增加背面供电网络 (BSPDN),但看起来情况并非如此,N2P 将使用常规供电电路。原因尚不清楚,但看起来该公司决定不为 N2P 添加昂贵的功能,而是将其保留到下一代节点,该节点也将于 2026 年底向客户提供。


    N2 仍有望在电源方面实现一项重大创新:超高性能金属-绝缘体-金属 (SHPMIM:super-high-performance metal-insulator-metal) 电容器,这些电容器的加入是为了提高电源稳定性。SHPMIM 电容器的容量密度是台积电现有超高密度金属-绝缘体-金属 (SHDMIM) 电容器的两倍多。此外,与上一代产品相比,新的 SHPMIM 电容器的薄层电阻 (Rs,单位为欧姆/平方) 和通孔电阻 (Rc) 降低了 50%。


    需求旺盛,台积电疯狂扩产


    最初,台积电规划是在宝山的Fab 20生产2nm。但后续,因为需求旺盛,台积电一直在扩产2nm产能。


    相关报道显示,台积电N2 第一年的新流片 (NTO) 数量是 N5 的两倍多。台积电高管在4月中的法说会中也指出,从客户设计定案状况来看,2nm需求更胜3nm、5nm等先进制程,且几乎所有AI相关公司都有与台积电合作,预期2025年将可望进入量产,届时会是台积电非常重要的生产节点,看好未来2nm的贡献金额可望高于3nm制程。


    台积电指出,2nm制程的产品组合将与3nm相当类似,代表届时仍以高效能运算(HPC)及智慧手机应用等终端应用为主。相关消息显示,在 2nm 客户端领域,苹果仍处于领先地位,并将该技术用于旗舰智能手机。英特尔也表达了兴趣,预计 AMD、NVIDIA 和联发科也将效仿。


    根据台积电先前规划,2nm厂区分别落在新竹宝山Fab 20的四座12吋晶圆厂,以及高雄三个厂区Fab 22,当中又以新竹宝山的Fab 20进度最快,可望成为台积电最先量产2nm的厂区。


    据集邦在年初援引业内消息人士透露,台积电2nm生产基地位于新竹科学园区及高雄,其中宝山二期将在第二季度开始投产,年底将建立一条“微型产线”,预计在2025年第四季度开始量产,初期月产能约为3万至3.5万片晶圆。同时,高雄工厂预计将提前于原计划在年底开始设备安装,目标是在 2026 年上半年实现量产,初始月产能计划与宝山的 30,000 至 35,000 片晶圆相似。


    同一消息来源还表示,宝山和高雄工厂正式量产后,将进入产能提升阶段,目标是到 2027 年实现每月约 11 万至 12 万片晶圆的综合产能。两座晶圆厂将生产第一代 2nm 和采用背面电源轨技术的第二代 N2P。下一代 1.4nm(A14)预计将于 2027 年下半年投产,可能位于台中。


    近日,又有业界消息传出,因持续加码2nm等最先进制程相关研发加上2nm后续需求超乎预期强劲,产能将导入南科,台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间,为历年次高,年增12.5%至14.3%。消息强调,台积电2nm客户群需求超乎预期强劲,相关扩充产能规划也传将导入南科,以制程升级挪出空间。除了苹果先前率先包下台积电2nm首批产能,非苹应用客户也因AI蓬勃发展而积极规划采用。


    业界表示,台积电2nm产能建置估计全台,包含竹科宝山可盖四期、高雄二期,南科相关规划若成真,估将有助2nm家族冲刺达至少八期八个厂的产能。此外,台积电正在美国建设三个工厂 ,第二座晶圆厂除了之前宣布的 3nm 技术外,还将采用下一代纳米片晶体管生产世界上最先进的 2nm 工艺技术,并将于 2028 年开始生产。第三座晶圆厂将采用 2nm 或更先进的工艺生产芯片,并将于 2020 年底开始生产。与台积电所有先进的晶圆厂一样,这三座晶圆厂的洁净室面积都将约为行业标准逻辑晶圆厂的两倍。


    (内容来源:21ic、半导体行业观察及网络资料,芯闻道综合整理)

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