国产芯片发展系列 | 外部冲击与国家战略下的中国芯片产业（1978—1999年）

改革开放之后，中国半导体企业被推向市场，受到猛烈的外部冲击，大量国营电子企业经营困难，无法产生足够的利润来支撑研发。同时，在美国等西方国家对我国实施“巴统”《瓦森纳协定》等技术封锁和贸易制裁下，国家从国外引进的生产线大多是落后淘汰的二手货，自主研发能力严重衰退，市场被外资快速占据。这一时期，中国半导体行业不仅大幅落后于美日，也逐渐被韩国和台湾地区超过。

1981年，中科院半导体所研制的16K内存，仅比韩国晚了2年。1985年，该所制造出了中国第一块64K内存，比韩国晚了1年。1986年，日本已开始研发0.5微米的制程技术，而韩国则研发出了1M的内存，而我国到1993年，才由无锡华晶制造出第一块256K内存，比韩国已经晚了7年。

为应对国外半导体技术封锁以及缩减中国半导体与国外的差距，1986年起，国家开始改变各自为战的发展模式，相继出台政策，集中进行半导体产业研发。

1986年，电子工业部在厦门举办了芯片战略研讨会，提出了中国芯片的第一个发展战略--“531战略”，即“普及5微米，研发3微米，攻关1微米”。落实了研制芯片的南北两个基地、一个点的布局，南方集中在江浙沪，北方集中在北京、天津和沈阳；一个点指的是西安，主要为航天工程提供集成电路配套。

1989年，机械电子工业部在无锡召开“八五”集成电路研讨会，提出振兴集成电路发展战略；同年，无锡742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立中国华晶电子集团公司。次年，国家启动了“908工程”，总投资20多亿元，目标是建成一条月产1.2万片、6英寸、0.8-1.2微米的芯片生产线，项目由华晶电子承担，项目7年之后开始投产，由于半导体产业快速的更新迭代，“908工程”未能让中国半导体产业实现逆转。

1995年，在“908工程”基础之上，国务院又推出了当时中国电子工业史上最大的一个国家项目“909”工程，总投资100亿人民币，由上海华虹承担，与日本电气股份有限公司（NEC）合作，目标建设一条8英寸、0.5微米技术起步、月加工2万片的超大规模集成电路生产线。这一工程于1997年开工，1999年用时两年即建成试产，在2000年就取得了30亿销售，5.16亿的利润。

这一时期在国外封锁，外资市场等的冲击下，我国半导体产业发展进入瓶颈期，但随着国家战略的介入，这一时期国产半导体也还是取得了一些进展。

1980年，中国第一条3英寸线在国营东光电子厂（878厂）的净化车间内投入运行。

1982年，江苏无锡742厂从东芝引进电视机集成电路生产线，这是中国第一次从国外引进集成电路技术。

1988年，上海无线电十四厂与比利时合资的上海贝尔电话设备制造有限公司合资创办了我国半导体行业的第一家中外合资企业——上海贝岭微电子制造有限公司；同年，该厂建成了中国第一条4英寸线。

1988年，上海无线电七厂、上无19厂、上海元件五厂与飞利浦合资，组建“上海飞利浦半导体公司”（现上海先进半导体制造股份有限公司），是当时中国乃至全球最先进的模拟芯片企业；1992年，上海飞利浦半导体公司建成我国第一条5英寸设生产线。

1993年，第一块256k DRAM 在中国华晶电子集团公司（现华润微电子有限公司）试制成功。

1994年，首钢日电公司（北京首都钢铁公司与日本电气公司合资成立）建成我国第一条6英寸线，1995年正式投产。

1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂，中国封测行业开始起步。

1998年，中国华晶和上华科技合作生产MOS圆片合约签订，开创了中国大陆晶圆代工业务模式的先河，中国大陆开始进入Foundry时代。

1998年，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心建成投产，标志着我国超大规模集成电路用硅单晶抛光片的生产已达到国际工业生产先进水平。

1999年，上海华虹NEC的第一条8英寸生产线正式建成投产，到2000年，上海华虹月投资生产8英寸硅圆片20000片，达到国际上规模经济水平。