内存芯片，告罄！

SK 海力士凭借 AI 市场需求激增的高带宽内存（HBM）市场主导地位，今年第三季度（4-6 月）再度刷新季度历史最高业绩，同时展现出在崛起为下一代竞争焦点的 6 代 HBM（HBM4）市场中继续保持主导权的信心。 据悉，SK 海力士满足了 “全球 HBM 巨头” 英伟达提出的所有性能要求，率先完成 HBM4 供应谈判，计划从今年第四季度起正式出货。该公司不仅明确 HBM，明年的 DRAM 和 NAND 闪存供应量也已实质 “售罄”，并表示存储半导体市场已进入超级繁荣期。

SK 海力士 29 日公告称，经初步统计，今年第三季度合并基准营业利润达 11.3834 万亿韩元，同比增长 62%。第三季度销售额同比增长约 39%，达到 24.4489 万亿韩元。该公司表示，“随着客户加大 AI 基础设施投资，整体存储需求激增”，“通过扩大 HBM3E（5 代 HBM）12 层堆叠产品及服务器用 DDR5 等高附加值产品系列的销售，再次超越上一季度创下的历史最佳业绩”。

SK 海力士也展现出对明年有望成为最大竞争战场的 HBM4 市场的信心。目前除 SK 海力士外，三星电子、美光等企业正与英伟达推进 HBM4 供应的质量认证工作。尽管业界担忧竞争对手入局会导致 SK 海力士的市场份额下滑，但分析认为，SK 海力士已领先竞争对手，提前锁定了 HBM4 的供应量。该公司解释道，“已与主要客户完成明年 HBM 供应协商”，“9 月宣布开发完成并建成量产体系的 HBM4 将从第四季度开始出货，明年计划正式扩大销售”。

业界普遍认为，受通用存储半导体价格上涨趋势带动，第四季度 SK 海力士有望再度刷新历史最高业绩。SK 海力士在第三季度业绩电话会议上预测，“随着 AI 数据中心投资扩大，第四季度公司 DRAM 和 NAND 出货量将环比增长一位数以上”。LS 证券研究员车容浩表示，“通用存储上涨周期始于 9 月中旬，对第三季度业绩影响有限”，“业绩将从第四季度开始正式体现，预计将再次刷新历史最高纪录”。

分析指出，随着全球科技巨头持续扩大 AI 产业投资，明年存储半导体市场的繁荣局面将延续。IBK 证券研究员金允浩表示，“OpenAI、甲骨文、英伟达等科技巨头消除了市场对明年（存储半导体）需求的担忧”，“预计不仅 AI 服务器，通用服务器扩容也将全面展开，存储半导体市场景气度将持续向好”。

SK 海力士也表示，AI 市场需求正大幅增长，预计 DRAM 和 NAND 闪存价格上涨趋势将持续。该公司称，“考虑到公司的生产能力，不仅 HBM，DRAM 和 NAND 闪存明年的供应量也可视为实质售罄”，“我们预计DRAM的需求增长率将从今年的十几个百分点提升至明年的20%以上，而NAND的需求增长率预计将从今年的十几个百分点提升至明年的十几个百分点。”。

SK 海力士还宣布，将从明年起正式扩大下一代 10 纳米级 6 代（1c，11-12 纳米级）DRAM 的生产能力。该公司表示，“1c DRAM 今年已启动量产，预计明年将正式扩大量产规模”，“到明年年底，1c DRAM 工艺有望占据 DRAM 总生产能力的一半”。SK 海力士的战略是加速向 1c DRAM 工艺转型，完善服务器、移动、图形等 DRAM 产品系列，扩大供应以满足客户需求。