闪迪NAND单次涨价50%！全球存储芯片涨价潮引爆，多厂暂停出货

11月10日消息，全球存储芯片市场掀起一轮迅猛的涨价浪潮。闪迪（SanDisk）率先大幅上调NAND Flash合约价格，涨幅高达惊人的50%，并明确表示预计NAND产品供不应求的局面将持续至2026年底。这一消息立即引发整个存储供应链的强烈震动。

此次涨价潮并非孤立事件。早在今年10月，三星电子就被曝出暂停DDR5的合约报价，随后SK海力士、美光等DRAM原厂相继跟进，导致DRAM供应链面临严重的供货中断。有急需的客户只能转向现货市场抢货，进而推动DDR5现货价格在一周内暴涨25%。

面对这一形势，下游模组厂商陷入两难境地。创见、宜鼎国际与宇瞻科技等模组厂不得不决定暂停出货并重新评估报价。其中，创见自11月7日起暂停报价交货，其官方理由“预期市场行情将继续向好”，暗示价格还可能进一步上涨。

闪迪涨价逻辑很简单，就是客户需求爆了，财报很硬核！

在涨价潮的推动下，存储芯片企业的业绩与股价表现亮眼。闪迪公布的2026财年第一财季业绩远超市场预期，刺激该公司股价在11月7日大涨超15%，总市值创历史新高至351亿美元。尤为引人注目的是，今年年初以来，闪迪股价累计涨幅已超过560%。

闪迪在财报中透露，第一财季NAND产品需求明显超过供应，库存周转天数从135天减少到115天，公司预计这一趋势将持续到2026年底。闪迪首席执行官David明确表示，到2026年，数据中心市场将首次成为NAND闪存最大的市场。

与此同时，芯片巨头英伟达首席执行官黄仁勋也证实，公司最先进的Blackwell芯片正面临“非常强劲的需求”。当被问及存储芯片短缺问题时，黄仁勋表示：“整个产业正在强劲增长，所以会出现‘各种不同东西的短缺’。”他同时强调，已收到三星、SK海力士和美光这三家存储器制造商的先进芯片样品，这些公司都已大幅提升产能来支持需求。

在A股市场，存储板块同样表现抢眼，模组厂凭借精准的库存策略成为此轮涨价周期的主要受益者。

江波龙的三季度财报显示，公司前三季度净利润达7.13亿元，其中第三季度单季利润就高达6.98亿元，同比暴增1994.42%。更为重要的是，公司的存货规模已攀升至85.17亿元，反映出其积极的备货策略。

佰维存储则呈现典型的“V型反转”态势。该公司上半年亏损2.26亿元，而第三季度净利润却高达2.56亿元，同比增长563.77%，存货也增至56.95亿元，显示其在周期拐点中实现了迅速修复。

此外，渠道代理商香农芯创、技术壁垒最高的澜起科技也成为此轮涨价的受益者。这些企业的业绩表现共同印证了一个事实：在当前存储市场因AI算力需求爆发而迎来的价格上行周期中，谁能提前预判、敢囤敢卖，谁就能在存储周期中占据主动。

涨价背后的深层逻辑：AI重塑存储供需结构

全球第二大存储模组厂威刚董事长陈立白指出，眼下DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘四大存储类别全面缺货涨价的局面，在其30余年的行业生涯中前所未见。他认为，今年四季度才是存储大多头的真正起点，也是存储严重缺货的开始，并预言明年产业荣景可期。

自2022年11月ChatGPT诞生引发生成式人工智能热潮以来，全球竞相建设人工智能数据中心，直接推高了对HBM（高带宽内存）和DDR5等高端存储技术的需求。美光科技的测算数据提供了直观证据：每台AI服务器的DRAM需求和NAND需求分别是普通服务器的8倍和3倍。

面对这一历史性机遇，存储巨头们迅速调整产能布局。早在去年三季度，三星、SK海力士、美光等企业就开始削减部分利润率偏低的传统DRAM产能，转向生产HBM和DDR5等更高利润的产品。今年4月，海外原厂更是接连宣布将停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品，进一步加剧了供应紧张。

回顾近十年，存储行业大致经历了三轮明显周期，而当前周期呈现出与以往截然不同的特征。

2016年至2019年，行业经历了DDR4技术迭代叠加手机游戏需求爆发，推动存储价格累计涨幅超过100%。2020年至2023年，全球疫情催生的远程办公与数据中心需求先拉动价格上涨，后又因需求疲软与产能过剩陷入深度调整。在下行周期中，包括存储原厂在内的产业链企业都遭遇重创——美光科技2023财年第二季度净利润巨亏逾23亿美元，并启动大规模裁员；2023年第二季度，三星电子的营业利润同比下降95.7%。

与前两轮周期不同，2024年至今，存储行业本轮价格上行不再依赖个人消费端需求，而是以AI算力基建与HBM技术革命作为新引擎。

行业的周期特性往往由上游原厂的产能调控触发。当原厂释放减产信号，下游分销商或终端厂商便开始囤货，需求快速上升；相反，当上游供给不断增加，价格就会下跌。历史经验表明，每一次价格的疯狂上涨，都在为下一轮的深度调整埋下伏笔。当前，在AI需求的强烈刺激下，巨头们正开足马力，调整产线，争相投资HBM等高端市场，但潜在的产能过剩风险同样值得警惕。

存储芯片价格的持续上涨，正在产业链下游引发截然不同的影响。

对价格更为敏感的消费电子产品领域首当其冲。小米旗下Redmi K90标准版12GB+256GB配置起售价比上一代K80上涨了200元至2599元。小米总裁卢伟冰直接回应称，由于内存芯片价格大幅上涨，导致手机制造成本增加，这一成本压力最终反映在了新产品的定价上。

更严峻的是，许多消费类电子ODM/OEM厂商由于此前与客户签下订单时根本没有预估到DRAM/NAND Flash短期内价格的迅速上涨和缺货，正面临两难困境：如果客户不愿接受在之前签订的价格基础上涨价，这些订单将面临违约或亏损的尴尬局面——要么拿不到足够的存储芯片，使得终端产品无法按时按量交货；要么只能到现货市场高价购买存储芯片，使得整体终端成本严重超支，出货即亏损。据业内了解，目前已有不少华南地区的消费类电子ODM/OEM厂商深受其害。

工业领域同样受到冲击。工业电脑龙头研华近日表示，DDR4价格狂飙，已侵蚀上季毛利率1%。此外，由于固态硬盘（SSD）价格同步上涨，也为研华带来额外成本压力。网通大厂合勤控更是直言，若DRAM报价续涨，恐影响毛利率约4至5个百分点。

与此形成鲜明对比的是，云端数据中心客户凭借其资金雄厚、对存储芯片价格相对不敏感的特性，以及与存储芯片原厂的议价能力和锁定产能供应的能力，在此轮涨价潮中处境相对从容。只要AI数据中心的建设热潮没有消退，这部分的存储芯片需求就不会有太大问题。

供不应求态势或将延续至2026年

从目前的整个存储芯片市场趋势来看，受益于AI数据中心需求的持续增长，对HBM、DDR5 DRAM的需求更为强劲，而上游存储晶圆厂也更多地将资源投入到利润率更高的HBM、DDR5和企业级SSD产品当中。这种产能的重新配置对消费类存储芯片的供应造成了明显排挤，进一步加剧了消费类存储芯片的缺货和涨价。

对于存储芯片原厂来说，在经历过上一轮残酷的存储寒冬之后，在新的存储上升周期中，它们不会贸然大肆扩增产能。即便是在扩增AI数据中心所需的HBM、DDR5 DRAM产能，其中也有不少是原本用于消费类市场的产能转向了这部分需求，而新建的产能目前还比较有限，且短时间内产能也无法迅速开出，对NAND Flash的扩产则更为谨慎。

在强劲的需求支持下，存储芯片原厂希望能够尽量持续维持这种供不应求、价格上涨或维持高位的市场环境。这也使得下游的存储模组厂形成一致预期：2026年存储市场将会持续供不应求。

但产业链各环节的参与者需警惕强周期行业固有的价格波动风险，同时在AI驱动的产业变革中寻找新的定位与机遇。