DRAM三巨头产能，1800万片

韩媒报导，根据最新的市场数据与业界分析，全球记忆体三大厂尽管已纷纷启动产能扩张计画，但仍难以缓解目前市场上严重的记忆体荒。这是因为AI 伺服器对高性能记忆体的需求呈现爆炸式成长，导致传统PC、智慧型手机等终端应用市场面临严重的供货短缺，预计这波涨价潮将贯穿2026 年全年。

根据朝鲜日报的报导，市场调查机构Omdia 的最新数据显示，韩国三星计画在 2026 年将DRAM 的晶圆（Wafer）投入量提升至接近800 万片的水准。 具体而言，三星2026 年的DRAM 晶圆产量预计将达到793 万片， 较2025 年的759 万片增长约5%。 这一成长主要依赖于平泽工厂（Pyeongtaek Campus）的产能释放，预计三星的单季平均产量将首次突破200 万片大关。

与此同时，SK 海力士的产能成长幅度预计将超越三星。资料指出，SK 海力士2026 年的DRAM 产量将从2025年的597 万片提升至648 万片，增幅约为8%。 这一成长动能主要来自于其清州M15X 工厂的扩产投资，相关产能预计从2026年下半年开始正式计入产量数据。 相比之下，美光则显得较为保守，预计其2026年全年产量将维持在与2025年相近的360 万片水准。

报导表示，尽管晶圆投入量有所增加，但实际的晶片产出却面临技术瓶颈。业界分析指出，三星电子在推动10 奈米6 代DRAM（1c）工程转换的过程中，会面临暂时性的生产能力损失。 这种因技术升级导致的有效产能下降，使得即便晶圆投入增加，最终的市场供应量增幅仍可能低于预期。而这种现象在全球记忆体短缺背景下显得尤为严峻。由于目前市场需求远超供给，业界普遍认为，这种暂时性的产能缩减将进一步支撑高频宽记忆体（HBM）及传统DRAM 价格的持续上扬。

另外，目前的市场供需失衡程度已达到令人忧虑的水平。根据市场分析师的说法，目前DRAM 供应商对客户的需求满足率仅约为60%，而伺服器专用DRAM 的满足率更是低于50%。 这意味着市场上有一半的伺服器记忆体需求无法得到及时供应。至于，造成这一局面的核心原因在于供应商的战略调整，也就是三星、SK 海力士与美光等厂商优先将先进制程节点与新建生产设施分配给伺服器用产品及HBM。这种资源倾斜直接导致了PC 和智慧型手机制造商的困境，这类终端设备商目前甚至只能取得所需记忆体量的一半左右。

在目前供应极度受限的情况下，记忆体合约价格正经历剧烈震荡。市场研究机构TrendForce 预测，2026 年第一季DRAM 的合约价格将较上一季度上涨55% 至60%。 此外，受惠于伺服器需求的大幅激增，Nand Flash 的合约价格在同期也预计将上涨33% 至38%。特别是在伺服器市场，涨价动能最为强劲。预计2026年第一季伺服器专用DRAM 的价格涨幅将突破60%。这种剧烈的价格波动，反映出供应商在产能受限的情况下拥有极高的议价权。

导强调，值得注意的是，尽管PC 市场的终端需求因笔记型电脑出货量减少及规格下修而显得相对疲软，但这并未能阻止价格上涨。由于记忆体厂商大幅削减了对PC 制造商和模组厂商的供应配额，PC 用DRAM 价格预计在2026 年上半年仍将保持陡峭的上升趋势。

而在行动装置市场方面，供应短缺的阴影同样挥之不去。报导说明到，未来几季内，行动端记忆体的合约价格将持续呈现急剧上涨的态势。这对于手机品牌商而言，无疑将增加其生产成本压力。

报导最后指出，面对当前的供应危机，业界专家认为，短期内难以见到根本性的缓解。全球DRAM 市场的供应短缺问题，恐需等到三星电子平泽园区P4 新工厂正式投产后才具备缓解契机。 根据目前的工程进度与内部预测，P4 工厂最快也要到2027 年以后才可能投入营运。同样地，SK 海力士也需要等到龙仁半导体集群正式启动运作，才能显著提升其整体的生产能力。在这些大型基础设施完工之前，全球记忆体市场将长期处于紧平衡甚至是供应不足的状态。