最佳体验请使用Chrome67及以上版本、火狐、Edge、Safari浏览器 ×

创建银行
创建开票

    英飞凌推出采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

    编者:武花静@芯闻道 阅读44 来源: 英飞凌 2025/05/28 01:11:01 文章 外链 公开

    1748337673097.png


    产品特点

    SMD顶部散热封装

    杂散电感低

    CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术具有更高的开关性能和FOM因子

    .XT扩散焊

    最低RDS(on)

    封装材料CTI>600

    爬电距离>4.8mm

    耐湿性

    雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护


    应用价值

    更高的功率密度

    实现自动装配

    不需要太复杂的设计

    与底部散热封装相比，具有出色的热性能

    改善系统功率损耗

    电压有效值950V，污染度为2

    可靠性高

    降低TCO成本或BOM成本


    应用领域

    驱动器

    电动汽车充电

    太阳能

    UPS


    声明：本网站部分内容来源于网络，版权归原权利人所有，其观点不代表本网站立场；本网站视频或图片制作权归当前商户及其作者，涉及未经授权的制作均须标记“样稿”。如内容侵犯了您相关权利，请及时联系责任编辑(产品速递)
    李明骏
    @芯闻道
    成员
    • 成交数 --
    • 成交额 --
    • 应答率
    聊天 收藏 点赞
    ￥0.00￥0.00￥0.00￥0.00￥0.00
      0  0
    
    
    分享

    微信扫一扫：分享

    微信里点“+”，扫一扫二维码

    便可将本文分享至朋友圈。

         0
      推荐商品
      验证
      二维码支付