新品推介：GaN 功率放大器芯片MH1306

2023年1月6日，浩瀚芯光新推出一款宽带  GaN 功率放大器芯片MH1306，芯片工作频率覆盖 0.3 GHz~6.0 GHz。

芯片采用双电源供电，典型工作电压为 VD=+28V， VG=-1.8V ；连续波模式下可提供 9dB 功率增益和 40dBm 饱和输出功率，同时具有40%的典型附加效率。

该芯片可以被应用在雷达微波收发组件及大功率固态发射机中 。

性能特点

典型测试曲线

参考电路

使用说明：
1、 芯片建议采用钼铜作为载片，优先采用金锡烧结，确保散热和接地良好。
2、射频端口用3根直径为25μm的金丝键合，跨度距离不要超过300μm。
3、100pF的为芯片电容，1nF电容为陶瓷滤波电容，耐压值要大于28V。
4 、注意散热设计，防止芯片结温过高。

产品咨询：

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