ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动

近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。

新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等电商平台均可购买。

未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。

＜产品阵容＞

产品型号	数据表	VDSS [V]	ID[A] TC=25°C	RDS(on)[mΩ]		Qg[nC]			Qgd [nC]	封装名称 [mm]
				VGS=10V		VGS=10V	VGS=6V	VGS=4.5V
				Typ.	Max.	Typ.	Typ.	Typ.	Typ.
RS6G120BG		40	120	1.03	1.34	67	-	34	12	HSOP8 （5.0×6.0×1.0）
RS6G100BG			100	2.6	3.4	24	-	11.8	4.3
RS6L120BG		60	120	2.1	2.7	51	-	25	7.3
RS6L090BG			90	3.6	4.7	28	-	14	4.1
RS6N120BH		80	120	2.8	3.3	53	33	-	10.1
RS6P100BH		100	100	4.5	5.9	45	29	-	11.7
RS6P060BH			60	8.2	10.6	25	16.2	-	6.3
RS6R060BH		150		16.7	21.8	46	30	-	12
RS6R035BH			35	32	41	25	16.2	-	6.4
RH6G040BG		40	40	2.8	3.6	25	-	11.8	4.5	HSMT8 （3.3×3.3×0.8）
RH6L040BG		60		5.5	7.1	18.8	-	9.2	2.7
RH6P040BH		100		12	15.6	16.7	10.9	-	4.4
RH6R025BH		150	25	46	59	16.7	11	-	4.4

＜新产品参考资料"Featured Products"＞

非常适用于基站、服务器用的电源和工业设备、消费电子设备用的电机驱动应用
低导通电阻 Nch 功率MOSFET（铜夹片型）
RS6xxxx系列/RH6xxxx系列（PDF:940KB）