全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。

据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC（Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。

新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.（以下简称“台达电子”）的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.（以下简称“碇基半导体”）联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss*2）方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置ESD*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。

新产品已于2023年4月起投入量产（样品价格 5,000日元/个，不含税），并已开始网售，通过Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。

ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”，并不断致力于进一步提高器件的性能。另外，除了元器件的开发，ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。

＜产品阵容＞

产品型号	数据表	漏-源电压 VDSS[V]	漏极电流 ID[A] TC=25℃	漏-源导通电阻 RDS(on) (Typ.) [mΩ]	栅极 电荷总量 Qg (Typ.) [nC]	输入电容 Ciss (Typ.) [pF]	输出电容 Coss (Typ.) [pF]	封装名称 [mm]
GNP1070TC-Z		650	20	70	5.2	200	50	DFN8080K [8.0×8.0×0.9]
GNP1150TCA-Z			11	150	2.7	112	19	DFN8080AK [8.0×8.0×0.9]

＜应用示例＞

包括服务器和AC适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统

＜电商销售信息＞

起售时间：2023年4月开始
电商平台：icHub
新产品在其他电商平台也将逐步发售。

• ＜关于Ancora Semiconductors Inc.（碇基半导体）＞

碇基半导体成立于2022年7月，是全球电源管理和变压器厂商——台湾台达电子（Delta Electronics, Inc.）的子公司，主要从事GaN元器件的开发。如欲了解关于碇基半导体的更多信息，请访问公司官网：
https://www.ancora-semi.com/zh-CN

＜术语解说＞

• *1) GaN HEMT

• GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。
  HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。

• *2) RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss

• 是用来评估器件性能的指标，其中Ciss是指从输入端看的总电容，Coss是指从输出端看的总电容。
  该值越低，开关速度越快，开关时的损耗越小。

• *3) ESD（Electro-Static Discharge：静电放电）

• 当人体和电子设备等带电物体相互接触时会产生静电。这种静电会导致电路和设备发生误动作甚至损坏。