新品推介：宽带GaAs功率放大器芯片MH369

        2023年6月19日，浩瀚芯光新推出一款宽带 GaAs 功率放大器芯片MH369，芯片工作频率覆盖 2 GHz~6GHz。芯片采用双电源供电，典型工作电压为 VD=+8V， VG=-0.8V ；连续波模式下可提供 32dB 小信号增益和 34dBm 1dB 增益压缩点输出功率，同时具有 45%的典型附加效率；

        该芯片可以被应用在雷达微波收发组件及大功率固态发射机中，芯片采用境内工艺能够满足国产化应用需求。

性能特点

典型测试曲线

使用说明：
1、 芯片建议采用钼铜作为载片，优先采用金锡烧结，确保散热和接地良好。
2、射频输入端口用2根直径为25μm的金丝键合，射频输出端口2根直径为25μm键合，跨度距离不要超过300μm。
3、 100pF的为芯片电容， 10nF电容为陶瓷滤波电容， 1uF为电源滤波电容，耐压值要大于20V。
4 、注意散热设计，防止芯片结温过高。

注意：
虽然本芯片具有较高的稳定性，但是由于芯片增益较高，在系统使用中可能存在环境反馈回路，当电源系统纹波较大时需要增加电源滤波阶数和增大电源滤波容值。

产品咨询：

王工：13696278356（微信同号）

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