注册资本207.2亿元！长江存储等成立长存三期集成电路公司

9月8日消息，据企查查公开信息显示，9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本207.2亿元，长江存储董事长陈南翔任法定代表人。

其股东为长江存储（持股50.19%，认缴104亿元）与湖北长晟三期投资发展有限责任公司（持股49.81%，认缴103.2亿元）。

企查查显示，湖北长晟三期投资发展有限责任公司成立于2025年9月2日，注册资本151.2亿，股东为武汉光谷金融控股集团有限公司（持股40%，认缴出资额60.48亿元）、江城产业投资基金（武汉）有限公司（持股40%，认缴出资额60.48亿元）、长江产业投资集团有限公司（持股20%，认缴出资额30.24亿元）。

据行业人士透露，随着长存（三期）公司注册成立，设备订单谈判已同步开展，包括北方华创、中微公司、拓荆科技、京仪装备、华海清科、长川科技等国产设备厂商将会充分受益。

长存三期注册资本规模显著，207.2亿元的认缴金额在近年成立的半导体企业中位居前列。公开资料显示，出资方长江存储作为我国3DNAND闪存芯片领域的龙头企业，其技术突破曾打破国外垄断，而湖北长晟三期投资则依托地方国资背景，专注于战略性新兴产业投资。两者强强联合，凸显国家对半导体产业链自主可控的战略布局。

从股权结构看，长江存储以超50%的持股比例占据主导地位，而湖北长晟三期作为联合投资方，或为项目提供地方资源与资金支持。这一模式与此前长江存储的扩产动作一脉相承。例如，2023年长江存储武汉二期工厂投产后，产能提升至全球第三，此次新公司成立或进一步推动其先进制程研发与产能扩张。

根据工商信息，长存三期经营范围涵盖集成电路制造、设计、销售及芯片产品进出口，并涉及技术服务、货物进出口、技术进出口等全链条业务。值得注意的是，其业务范围不仅包括传统芯片制造，还强调“技术服务”与“进出口代理”，表明公司或聚焦高附加值环节，同时通过全球化合作提升竞争力。

行业分析指出，半导体产业链的国产化需突破设备、材料、设计等多重瓶颈。长存三期依托长江存储的技术积累，有望在3DNAND领域深化研发，例如提升堆叠层数（当前主流为200层以上）或降低单位成本。此外，武汉作为国家存储器基地的核心承载地，已聚集长江存储、武汉新芯等企业，新公司的成立将进一步强化区域产业集群效应。

近年来，我国半导体产业在政策扶持与市场需求双重推动下高速发展。2025年《政府工作报告》明确提出“加快集成电路、人工智能等前沿技术研发”，而全球半导体市场规模预计2025年将突破6000亿美元，其中存储芯片占比超30%。长存三期的成立，既是企业响应国家战略的举措，亦是对市场缺口的主动填补。

从竞争格局看，三星、SK海力士等国际巨头仍主导高端存储市场，但国内企业通过技术迭代逐步缩小差距。长江存储的Xtacking架构技术已实现128层至232层产品的量产，长存三期或加速下一代技术研发，助力国产存储芯片向车规级、服务器级市场渗透。