联发科首款台积电2nm旗舰芯片天玑9600完成流片

2025年9月16日消息，全球芯片设计厂商联发科（MediaTek）宣布了一项重大技术突破：公司首款采用台积电2纳米制程的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计流片（Tapeout），成为全球首批采用该技术的公司之一。根据规划，这款被业界普遍认为是下一代天玑9系旗舰——天玑9600的芯片预计将于2026年底正式量产上市。

此次技术突破标志着半导体工艺正式进入2纳米时代。台积电的2纳米制程首次采用了革命性的纳米片（Nanosheet）电晶体结构，相比现有技术能够带来更优异的性能表现、更低的功耗控制以及更高的生产良率。根据联发科公布的数据，与台积电N3E制程相比，2纳米强化版制程的逻辑密度增加了1.2倍，在相同功耗下效能提升高达18%，而在相同速度下功耗可减少约36%，这些改进将为未来的智能手机带来显著的性能提升和续航优化。

业界分析指出，此次天玑9600的流片成功不仅巩固了联发科在高端芯片市场的竞争力，也为2026年的下一代旗舰智能手机市场奠定了技术基础。随着2026年底量产上市时间的临近，全球科技爱好者都在期待这款采用2纳米工艺的芯片将为移动计算领域带来怎样的变革。