受人工智能（AI）需求增长的推动，国内存储半导体产业正经历前所未有的繁荣，NAND闪存市场也呈现出新的竞争格局。尽管国内企业在NAND领域占据全球一半以上的市场份额，预计它们将继续保持强劲势头，但中国企业正在迅速缩小技术差距，导致竞争异常激烈。与其他存储技术（例如高带宽内存（HBM）相比，情况尤其如此，韩国企业已取得显著领先优势。

中国领先的存储器制造商长江存储科技（YMTC）正在迅速扩大其在全球NAND市场的份额。根据IBK投资证券12月9日发布的报告，YMTC第三季度的市场份额仅为8%，但其销售额同比增长高达90%。这与三星电子、SK海力士（-3%）和铠侠（-6%）等竞争对手形成鲜明对比，这些竞争对手虽然市场份额较高，但销售额同比略有下滑。

这一增长趋势归功于长江存储的技术进步及其在中国国内市场的强大影响力。据业内人士透露，长江存储于今年上半年开始量产270层3D NAND闪存，显著缩小了与SK海力士（321层）和三星电子（286层）等主要NAND闪存厂商的差距。

一些分析师表示，韩国企业与中国企业在NAND闪存领域的差距已显著缩小。汉阳大学材料化学系柳奉永教授警告说：“虽然韩国企业与中国企业在双倍数据速率（DDR）和HBM闪存领域仍存在数年的差距，但在NAND闪存领域，他们似乎已经几乎赶上了。”他补充道：“长江存储（YMTC）在NAND晶圆键合（W2W，晶圆对晶圆）工艺方面拥有卓越的优势，是该领域的领军企业。”

然而，普遍认为中国企业的科技进取短期内不太可能颠覆市场格局。这是因为整个行业供应短缺导致NAND价格持续上涨。IBK投资证券研究员金云浩（Kim Woon-ho）在今天发布的一份报告中指出：“第四季度NAND价格谈判异常漫长。PC OEM厂商、智能手机制造商和模块制造商都在接受更高的价格以确保有限的供应。”

随着NAND技术差距的缩小，韩国企业正在加速推进其超大差距战略。例如，三星电子宣布，一篇题为《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》的论文已发表在《自然》杂志上。该论文由三星先进技术研究院（SAIT，原三星先进技术研究院）和半导体研究所的34位研究人员共同撰写，声称可将NAND闪存的功耗降低96%，这表明三星电子正在拓展其研究领域，以确保技术竞争力。

SK海力士也在积极提升NAND闪存的性能。据业内人士透露，SK海力士正在开发一种采用混合键合工艺的300层NAND闪存。这被解读为SK海力士试图在竞争日益激烈的键合市场中获取技术优势，因为越来越多的竞争对手开始采用混合键合技术。一位半导体行业内部人士表示：“产品开发是SK海力士的内部事务，所以我们无法确定。”但他预测：“向混合键合技术的过渡是一个自然的过程，因此公司内部肯定会进行讨论。”

因此，一些人警告说，只要中国继续追求技术进步，技术差距就会不断扩大，导致两国之间形成拉锯战。柳奉永表示：“虽然质量上仍然存在差距，但中国在推出新产品时会不断追赶韩国。这种追逐可能会持续一段时间。”

长江存储12月5日起诉美国国防部、商务部

美国时间2025年12月5日，长江存储在华盛顿联邦法院及哥伦比亚特区联邦地区法院，分别起诉美国国防部与商务部，以应对美方相关制裁措施。

针对美国国防部，长江存储质疑其将公司列入 “中国军事企业” 名单的决定，称该认定依据过时且不准确的信息，强调自身与中国军方无任何关联，产品均为商用级，从未用于军事用途，要求法院暂停并撤销该认定。

针对美国商务部，诉讼聚焦 2022 年将其列入出口管制清单的决定。长江存储称美方未指控其违法，且未对其 2025 年 8 月提交的信息公开请求作出实质回应，遂以违反《信息自由法》起诉，要求公开相关行政记录。

这两起诉讼是长江存储近期一系列法律行动的一部分，此前该公司已于2025年9月对美国商务部提起诉讼，同样基于FOIA要求公开实体清单列入的行政记录。此次同时起诉两个联邦机构，显示了长江存储在应对美国出口管制措施方面的积极法律策略。