中国SiC专利和初创企业猛增

法国 Knowmade 的一份报告称，对最新碳化硅 (SiC) 专利的分析显示，中国和主要垂直整合公司正在快速进步。

日益激烈的市场竞争和持续的地缘政治紧张局势正推动整个供应链的知识产权活动，其中与设备相关的专利活动出现了一些有趣的动态，三菱电机和富士电机占据主导地位。

KnowMade重点介绍了 SiC 供应链中最新的知识产权动态，并重点关注了行业内一些采用垂直整合模式的主要公司的知识产权活动。2021 年至 2023 年间，中国企业披露的发明数量增加了约 60%。

受电动汽车 (EV) 大规模采用SiC功率器件前景的推动，SiC公司开始在该行业的战略区域申请越来越多的专利。参与SiC活动的中国公司和研究机构的数量也在快速增长，自2022 年以来，衬底领域已确定了超过 25 个新 IP，器件领域已确定了约 50 个新 IP。

因此，2023 年专利中披露的发明数量比2021年高出50%以上，并且一些现任专利持有者有效地扩大了其发明的保护范围。

分析显示，中国公司在国外提交的专利申请数量非常有限（不到5%）。KnowMade 复合半导体和电子领域高级分析师 Rémi Comyn 表示，这表明，至少目前，大多数中国公司不打算挑战其竞争对手在中国以外的领导地位。

中国政府一直大力鼓励中国企业的专利申请活动，导致近年来提交了大量专利申请。2023 年全球发布的 SiC 专利申请中，超过 70% 的专利申请归属于中国实体。这使得专利分析成为研究中国 SiC 技术生态系统的有力工具。

这有助于及早发现新的中国公司，描述他们的技术发展并解释他们与其他参与者的关系，例如研究机构或拥有专利合作和知识产权转让的外国公司。

KnowMade 自 2018 年以来一直在研究 SiC 技术，多年来将其专利分析扩展到整个 SiC 供应链。

中美贸易战也对近期专利申请活动的加速产生了一定影响，它支持了全球（尤其是中国）建立更加本地化的半导体供应链。这种密集的本地生态系统使中国能够迅速解决 SiC 晶圆行业的短缺问题。然而，报告称，由于晶圆供应过剩，中国在 SiC 晶圆市场引发了激烈的价格竞争，这让 SiC 晶圆供应商有更充分的理由利用其专利对抗主要竞争对手。

同时，英飞凌科技、Wolfspeed和Rohm以及意法半导体和Coherent等垂直整合公司在整个供应链中展示了不同的IP战略。

多家 SiC 器件市场参与者正在投入大量资源，为 SiC 技术建立垂直整合制造基础设施。这些公司在 SiC 行业采用了集成器件制造商 (IDM) 业务模式，旨在将 SiC 制造的每个步骤（从材料生长到器件制造和封装）都整合到公司内部。

比较整个供应链中的 IP 活动，可以发现 SiC 技术的 IP 策略存在很大差异。虽然某些公司严重依赖专利来确立其市场地位，但其他公司并未在整个 SiC 供应链中大力发展其专利组合。

其专利申请的地理分布也指出了 SiC IDM 公司之间的一些差异，凸显了不同市场对每家公司（美国、日本、欧洲、中国、韩国）的相对重要性。

分析首先要确定整个供应链中主要的专利持有者和申请 SiC 相关专利的新人，从块状 SiC 到使用 SiC 器件的电路和系统。由于与封装、模块、电路和应用相关的专利往往涵盖不止一种半导体技术，因此必须在下游供应链中调整选择范围。

专利内容涵盖衬底（包括体SiC、裸晶圆、生长装置、精加工、切片、外延片）、功率器件、封装、模块、电路及应用，分为二极管、平面和沟槽MOSFET等器件。

分析指出，SiC专利领域大多数公司已将沟槽MOSFET纳入其技术路线图，从而加速该领域的专利申请。因此，沟槽MOSFET最近已成为竞争日益激烈的知识产权领域。