长鑫存储2025年DRAM产能暴增68%

市场调研机构Omdia最新预测显示，长鑫存储的DRAM产能将在2025年迎来爆发式增长，远超行业早先的预估。若保持当前增速，该公司不仅将快速缩小与美光的差距，甚至可能达到SK海力士DRAM总产能的50%。

根据韩媒ChosunBiz的报道，Omdia预计2025年长鑫存储的DRAM晶圆投片量将攀升至273万片，较2024年的162万片激增68%。这一增速比市场最初预测高出三倍以上。

2024年第一季度，长鑫存储的月均DRAM产量维持在10万片左右，相当于SK海力士同期产能的四分之一，且主要聚焦于DDR4 DRAM的生产。然而，仅一年后，其产能已翻倍至每月20万片。

值得注意的是，2024年长鑫存储大幅提升DDR4产量，直接冲击市场价格，引发行业震动。分析师认为，该公司已迅速崛起为DRAM市场的重要参与者，甚至可能打破三星电子、SK海力士和美光长期主导的“三巨头”格局。

尽管业内普遍认为中国在DRAM技术上仍落后韩国3-4年，但长鑫存储已成功实现旧型DRAM的量产，并顺利进军DDR5市场。其DDR5产品的性能表现已接近韩国厂商水平，展现出强劲的技术竞争力。

韩国业内人士警告称，尽管长鑫存储当前市占率仍有限，但其迅猛的增长势头可能引发“滚雪球效应”，类似于当年韩国存储企业逐步取代日本厂商的行业变革。