中国大陆内存厂集体停产！DRAM现货价格翻倍！

DRAM是应用最广泛的存储芯片之一，由于有报道称中国大陆即将转移生产，现货市场价格大幅上涨。

过去一个月，基准8GB DDR4模块的价格翻了一番，此前中国台湾媒体报道称，中国大陆领先的制造商长鑫存储（CXMT）准备在2026年年中之前逐步淘汰DDR4的生产。加剧全球供应趋紧的预期。

DDR4市场则出现了“有钱没货”的罕见现象。据媒体报道，华强北商家直言：“16GB裸条一周涨20%，现在是有钱都买不到货”。

DRAM芯片将数据暂时存储在计算机和家用电器中。DDR4通常用于计算机。6月25日，8GB DDR4的价格在4.90美元左右，是一个月前的两倍多。6月20日的价格达到了4.65美元左右。

继三星电子、SK海力士、美国美光之后，CXMT开始生产DDR4。在与美国的贸易战中，中国正在为购买国产DRAM提供补贴，作为促进国内芯片生产的努力的一部分。据一位内存市场内部人士透露，CXMT宣称其价格比其他国家制造的产品“便宜约50%”。

一些分析师预测，CXMT今年的市场份额可能接近15%左右。

三星、SK海力士和美光正在从DDR4转向利润更高的DDR5和高带宽内存（HBM）——一种对生成式人工智能至关重要的3D叠存储芯片。

一家电子贸易公司的高管表示，有报道称，长鑫存储可能也会转向这些下一代产品，这“令市场感到意外”。熟悉该公司计划的人士说，该公司尚未宣布任何停产计划。

据估计，现货交易占整个DRAM市场的比重不到10%。毕马威驻日本FAS的冈本君（Jun Okamoto）表示，买家通常从分销商和经纪人那里购买库存，而不是直接从制造商那里采购。

一位市场内部人士表示，导致近期市场好转的其他因素包括，分销商因预期DDR4供应商减少而囤积库存。一家电子交易公司的相关人士表示：“中国大陆的投机经纪人也在买进。”

大多数DRAM交易都是存储器制造商和买家之间每月或每季度的大额交易，买家通常包括器件或模块制造商。今年5月，8GB DDR4的批量价格约为每单元2.06美元，连续第二个月上涨约10%。

冈本说，现货价格被认为是“影响整体价格走向的一个指标”。另一位电子交易高管表示，大宗商品价格目前可能会保持上升趋势。

附：A 股存储芯片相关公司主营及竞争力梳理

一、存储芯片设计 / 制造类 

1. 佰维存储 

主营：存储芯片模组研发、生产（SSD、内存模组、嵌入式存储等），面向消费电子、工业、汽车等领域。 

竞争力： 国内存储模组龙头，客户覆盖三星、金士顿等，车规级存储产品切入新能源汽车供应链。 自研固件算法和封装技术，具备定制化解决方案能力，消费级市场份额领先。 

2. 兆易创新 

主营：NOR Flash 存储芯片设计，同时布局 MCU、传感器等。 

竞争力： 全球 NOR Flash 市场份额前三，国内第一，大容量 NOR Flash 技术突破（如 55nm 工艺）。 客户包括华为、高通等，车规级产品进入特斯拉供应链，研发投入高（2023 年研发费用率超 15%）。

3. 江波龙 

主营：存储品牌运营（FORESEE）及模组制造（SSD、U 盘、内存卡等），面向消费及企业级市场。 

竞争力： 国内存储品牌龙头，渠道覆盖全球，企业级客户包括联想、戴尔；消费级品牌 “Lexar”（雷克沙）市占率高。 具备 SSD 主控芯片自研能力，车规级存储产品通过 AEC-Q100 认证。 

4. 东芯股份 

主营：中小容量存储芯片设计（NOR Flash、NAND Flash、DRAM），聚焦消费电子和工业领域。 

竞争力： 国内少数同时布局三类存储芯片的企业，NOR Flash 市占率国内前列，车规级产品进入比亚迪供应链。 采用 Fabless 模式，成本控制灵活，研发效率高。

 5. 北京君正 

主营：嵌入式处理器芯片设计，存储领域布局 LPDDR 内存芯片。 

竞争力： LPDDR 芯片切入智能手机、物联网市场，客户包括华为、小米；并购 ISSI 后获得存储芯片设计能力。 低功耗技术优势显著，产品应用于智能穿戴、汽车电子等场景。 

6. 国科微 

主营：固态存储控制器芯片、广播电视芯片设计。 

竞争力： 国内存储控制器龙头，自研 SSD 主控芯片支持 PCIe 4.0，客户包括长江存储、华为。 信创领域深度布局，存储芯片适配国产操作系统和处理器。 

二、存储芯片封装测试类 

1. 通富微电 

主营：半导体封装测试，存储芯片封装（如 BGA、TSV）占重要份额。 

竞争力： 国内封装测试龙头，全球前十，为美光、三星等提供存储芯片封装服务。 合肥厂聚焦存储封装，产能规模大，先进封装技术（如倒装焊）布局领先。 

2. 澜起科技 

主营：内存接口芯片设计（DDR5 相关芯片），存储领域关联内存模组。 

竞争力： 全球 DDR5 内存接口芯片市占率超 40%，技术垄断性强，客户覆盖三星、海力士等。 研发壁垒高，专利布局完善，受益于 DDR5 迭代周期。 

三、存储芯片产业链上下游（设备 / 材料 / 工具） 

1. 北方华创

主营：半导体设备（刻蚀机、薄膜沉积设备），应用于存储芯片制造。 

竞争力： 国内半导体设备龙头，刻蚀机进入长江存储、中芯国际产线，14nm 设备实现量产。 存储芯片产线设备配套能力强，受益于国内晶圆厂扩产。 

2. 中微公司

主营：刻蚀设备（逻辑芯片、存储芯片用），碳化硅设备。 

竞争力： 5nm 刻蚀机进入台积电供应链，存储芯片刻蚀设备（如 3D NAND）适配长江存储。 技术对标国际巨头（如应用材料），国产替代空间大。 

3. 拓荆科技

主营：薄膜沉积设备（PECVD、ALD），用于存储芯片制造。 

竞争力： 3D NAND 薄膜沉积设备打破国外垄断，进入长江存储、长鑫存储产线。 ALD 设备技术领先，适配先进存储工艺，订单增速快。 

4. 华海清科

主营：CMP（化学机械抛光）设备，存储芯片制造关键设备。 

竞争力： 国内 CMP 设备龙头，市占率超 80%，客户包括长江存储、中芯国际。 3D NAND 抛光设备技术突破，替代美国应用材料，国产化率提升。 

5. 安集科技

主营：半导体抛光液（CMP 材料），存储芯片用抛光液占主导。 

竞争力： 国内抛光液龙头，3D NAND 抛光液打破日本 Fujimi 垄断，进入长江存储供应链。 产品覆盖存储芯片全流程，研发投入高（2023 年研发费用率超 15%）。

 6. 江丰电子

主营：靶材（铝靶、钛靶等），用于存储芯片薄膜沉积。 

竞争力： 国内靶材龙头，铝靶进入中芯国际、长江存储产线，打破日本 JX 金属垄断。 高纯靶材技术达标，适配 14nm 以下工艺，进口替代空间明确。 

7. 微导纳米

主营：ALD（原子层沉积）设备，存储芯片高难度薄膜沉积。 

竞争力： ALD 设备技术领先，进入长江存储、长鑫存储产线，适配 3D NAND 和 DRAM 先进工艺。 国内少数掌握 ALD 核心技术的企业，对标国外 Lam Research。 

四、其他关联企业（非存储芯片核心，但产业链相关） 

1. 兴森科技：PCB 及半导体封装载板制造，存储芯片封装载板客户包括通富微电、长电科技。 

   
   

2. 沃格光电：光电玻璃基板，存储芯片封装用载板材料布局（非核心业务）。 

   
   

3. 精智达：半导体测试设备，存储芯片测试机配套（如 SSD 测试）。 

   
   

4. 全志科技：智能终端处理器芯片，存储领域关联嵌入式存储应用（非存储芯片设计）。

   
   

5.  华大九天：EDA 工具，存储芯片设计用 EDA 软件研发（如布局布线工具）。

   
   

6.  华虹公司：晶圆代工（逻辑芯片为主），存储芯片代工占比低（非核心业务）。 国芯科技：汽车芯片、安全芯片，存储领域布局少。 

   
   

7. 聚辰股份：EEPROM 芯片设计，属于小容量存储，非主流存储芯片。