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    ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

    编者:曾颖@罗姆专区 阅读55 来源: ROHM 2025/03/07 07:11:15 文章 外链 公开

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。

     

    新产品共3款机型,包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*4电路的“RS7E200BG”(30V),以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。

     

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    随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速,对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外,对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势,预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要24小时不间断运转(始终通电),因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗,会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中,其导通损耗占比较高,因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外,服务器配备了热插拔功能,可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备,在更换等情况下,服务器内部会产生较大的浪涌电流*5。因此,更大的安全工作区范围(宽SOA范围)对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此,ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装,与以往封装形式相比,封装内部的芯片可用面积增加,从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。

     

    新产品均采用新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装,与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比,封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻,30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.),80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.),非常有助于提高服务器电源电路的效率。

     

    另外,通过优化封装内部的夹片形状设计,提高了散热性能,同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”,其SOA范围达70A以上(条件:脉冲宽度=1ms、VDS=12V时),与以往的HSOP8封装产品相比,在相同条件下SOA范围提高了一倍,从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。

     

    新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格:710日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,可联系代理商有芯电子购买。

     

    ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来,ROHM将继续扩大相关产品阵容,为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。

     

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    <关于EcoMOS™品牌>

    EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。

     

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    ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

     

    <应用示例>

    ・企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路

    ・AI(人工智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路

    ・工业设备48V系统电源(风扇电机等)

     

    <销售信息>

    产品型号:RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH

    开始销售时间:2025年2月起,1枚起售

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    如您有任何需求,欢迎联系罗姆代理商有芯电子:John.li@rightic.cn


    <术语解说>

    *1)导通电阻(RDS(on))

    MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。

    *2)SOA(Safe Operating Area)范围

    元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。

    *3)功率MOSFET

    适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,相比Pch MOSFET,具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。

    *4)热插拔控制器(HSC:Hot Swap Controller)

    可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC(集成电路),发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流,并保护系统和所连接元器件的重要作用。

    *5)浪涌电流(Inrush Current)

    在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。

     

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