ROHM GaN Solution赋能高效能源转换
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）于8月28日～30日参加了在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。本次展会，罗姆聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示了其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，8月28日，11号馆A40展台举办了“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”，罗姆工程师在论坛现场上发表演讲，为现场和在线观众分享了罗姆氮化镓解决方案，赋能高效能源转换。
展位效果图
罗姆拥有世界先进的碳化硅为核心的功率元器件技术，以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术，在提供电源解决方案的同时，为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。在本次PCIM Asia展会上，针对日益增长的中国市场需求，罗姆重点展示了以下产品和解决方案：
碳化硅：
罗姆在碳化硅功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，并推出了EcoSiC™品牌。其中，先进的第4代SiC MOSFET技术实现了业界领先的低导通电阻，充分地减少了开关损耗，并支持15V和18V的栅极-源极电压，有助于在包括汽车逆变器和各种开关电源在内的各种应用中实现显著的小型化和低功耗。在本次展会上，罗姆首次推出了其适用于车载牵引逆变器的新型二合一SiC功率模块“TRCDRIVE pack™”。该系列产品为小型封装，内置第4代SiC MOSFET，实现了业界超高功率密度，助力xEV逆变器小型化发展。除此之外，罗姆还展示了生产工艺向8英寸SiC晶圆工艺的转换，并探讨了有关SiC产品的未来发展方向。
TRCDRIVE pack™和EcoSiC™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
氮化镓：
GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在本次PCIM Asia展会上，罗姆会通过多个评估套件展示EcoGaN™系列150V和650V级的GaN HEMT。Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（包含内置650V GaN HEMT和栅极驱动器）能够实现集成度更高、体积更小的PFC和QR（准谐振）反激转换器。这些器件能为各种需要高功率密度和效率的电子系统提供更佳解决方案。此外，罗姆还展示了多种EcoGaN™系列产品的相关电路板及其在工业解决方案中的贡献。
EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
一直以来，罗姆不仅在产品研发上投入力量，还积极与行业伙伴建立战略关系，联合推动技术创新，旨在解决社会面临的问题。除了以上丰富的产品及解决方案展示以外，还展示了众多合作伙伴的应用案例，来自罗姆的专业销售和经验丰富的技术与观展客户进行了深入互动与交流。
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