罗姆带你探索EcoGaN™与LSI技术
近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。GaN作为比肩SiC的第三代半导体,虽然在耐压(650V)及大电流方面并无惊艳之处,但其在开关频率特性上,有着绝对量级上(200kHz以上)的优势。因此,在数据电源、基站电源、小型充电器等一般领域以及OBC、48V系统、激光雷达等车载领域中,可以充分发挥其低功耗、高工作频率的优势。
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【研讨会详情】
研讨会时间
2024年7月31日 10:00
研讨会主题
ROHM’s EcoGaN™ & LSI Technology
研讨会提纲
1、GaN的介绍
2、使用罗姆GaN的产品解决方案
3、罗姆GaN产品开发路线
研讨会讲师
陆昀宏 经理
2010年加入ROHM。现任HighPowerSolution经理,负责面向包括车载,工业等各领域的SiC&GaN产品的推广和方案设计。在HighPower产品领域中有着丰富的产品知识面和经验,为客户进行选型指导和技术支持。
相关技术资料
1、EcoGaN™ 介绍
● EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”
● ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
2、Nano 介绍
● 解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术“Nano”
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