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    MOSFET

    编者:曾颖@长运通 阅读397 来源: 长运通 2023/06/27 07:21:19 文章 外链 公开


    产品类型:MOSFET


    资料下载


    型号

    功能描述

    栅极阈值电压

    漏源击穿电压

    漏源导通电阻

    温度范围

    封装形式

    规格书

    CYT06N021

    先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS和低栅极电荷

    1.11V~2.5V

    最小60.1V

    11~20mΩ

    -40℃~175℃

    TO252

    暂无文件

    CYT06N021I

    先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS和低栅极电荷

    1.11V~2.5V

    最小60.1V

    11~20mΩ

    -40℃~175℃

    TO252

    暂无文件



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