新品推介：GaN功率放大器芯片MH1310

2023年9月25日，浩瀚芯光新推出一款宽带 GaN 小功率放大器芯片MH1310，工作频率覆盖 8GHz~12GHz。芯片采用双电源供电，典型工作电压为 VD=+28V， VG=-2.5V ；连续波模式下可提供 31dB 小信号增益和 36dBm 饱和输出功率，同时具有 40%的典型附加效率。该芯片可作为MH1308的驱动放大器，形成功率放大链路。

该芯片可以被应用在雷达微波收发组件及大功率固态发射机中，芯片采用境内工艺，能够满足国产化应用需求。

性能特点

典型测试曲线

参考电路

使用说明

1、芯片建议采用钼铜作为载片，优先采用金锡烧结，确保散热和接地良好。

2、射频端口采用2根直径为25μm的金丝键合，建议金丝长度300μm~500μm。

3、直流供电采用双偏置供电，采用300pF芯片滤波电容和10nF陶瓷滤波电容，滤波电容的耐压值要大于50V。

4、其中VD3端口需键合2根Φ25μm金丝，直流焊盘金丝长度控制在1500μm以内。

5、脉冲应用时， VD端口只保留300pF滤波电容。

6、注意散热设计，防止芯片结温过高。

键合压点定义

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