核心产品

半导体类

瞬态电压抑制二极管 (TVS)

瞬态抑制二极管也称硅雪崩二极管，拥有比普通二极管更大PN结面积和更大的同流能力，广泛应用于电子元件瞬变电压防护。

截止电压: 3.3V~600V;   峰值功率: 200~30KW   电流: 最大达30KA(8/20uS） 高结温:最高可达

可控硅 (Thyristors)

可控硅是常开式固态开关，能 够承受额定闭塞/断态电压直 至受触发而切换为导通状态， 可作为开关或功率调节应用。

低漏电流：独特的保护层设计，IDRM<1uA@VDRM        高结温：超高静动态能力，150ºC 高结温环境        抗干扰能力强：无缓冲设计, dv/dt > 1000V

静电二极管阵列 (ESD)

瞬态抑制二极管阵列设计用于保 护数字和模拟信号线免受静电放 电(ESD)，电快速瞬变(EFT)，以 及雷击引起的浪涌电流的破坏。

结电容：最小可达0.3pF        尺寸：最小可达0.6*0.3mm        封装：多样化，集成度高        功率：70~1800W（8/20uS）

半导体放电管 (TSS)

半导体放电管是基于可控硅工艺的半导体开关管，相对TVS管有更高的浪涌防护和更低的残压，用于各种通讯端口。

截止电压：6V~600V   浪涌等级：2/4/6 KV   结电容值：15pF～150pF   封装：SMA、SMB、SOP8

非半导体类

氧化锌压敏电阻(MOV)

金属氧化物压敏电阻用于抑制 瞬变电压，如雷电威胁、AC线 应用中，其特点为高电压、高通流、低成本。

电压: 18V~1800V        电流: 70kA (8/20μs)     容值: 100-1000pF        MOV: 5mm - 53mm        TMOV: 14mm、20mm、25mm

陶瓷气体放电管(GDT)

陶瓷气体放电管属于开关型过 压保护器，工作原理基于惰性 气体间隙放电，能够承受极高 的瞬态浪涌。

电压: 75V~6KV    浪涌能力: 100KA (8/20μs)    尺寸: 2极&3极，多尺寸    电容值：0.5～25 pF    封装：轴心引线式、贴片式

玻璃气体放电管(SPG)

玻璃气体放电管兼具陶瓷气体 放电管和半导体放电管的优点， 具有浪涌能力高、体积小、反应速度快的特点。

电压范围：140~ 4000V   浪涌电流：3KA(8/20uS）   尺寸大小：φ1.4mm~φ4.1mm   可靠性高：耐高温、耐潮湿

自恢复保险丝(PPTC)

自恢复保险丝是一种高分子聚 合物正系数温度元件，用于应 对电路过电流威胁，动作恢复 后能反复使用。

维持电流: 30mA~14A .尺寸封装: 0603、0805、1206、 1210、1812、2016、 2920、 LY16、 LY30、LY60、 LY130、 LY250、LY600