英飞凌成功收购GaN Systems，晋升氮化镓龙头

据英飞凌25日官微消息，英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。

据悉，GaN Systems是GaN功率半导体厂商，拥有广泛的晶体管产品组合，可满足多行业的需求，包括消费电子、可再生能源系统、工业电机和汽车电子等。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有200余名员工。

英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。收购 GaN Systems 将显著推进公司的氮化镓技术路线图，并让我们同时拥有所有主要的功率半导体技术，进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。我们欢迎 GaN Systems 的新同事加入英飞凌。”

目前，英飞凌共有450名氮化镓技术专家和超过350个氮化镓技术专利族，这进一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。英飞凌和 GaN Systems 在知识产权、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划方面优势互补，这为英飞凌满足各种快速增长的应用需求创造了极为有利的条件。

2023年3月2日，英飞凌和 GaN Systems 联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资8.3亿美元收购 GaN Systems。这笔“全现金”收购交易是使用现有的流动资金来完成的。

作为一种宽带隙半导体化合物，与传统硅相比，GaN 在高压功率转换应用中具有更高的功率密度和更高的效率。更高的器件工作频率还允许使用更小的板级电路，而且半导体化合物的材料特性在更宽的温度范围内表现出卓越的可靠性。

GaN 在高压下具有更好性能的原因之一是它在导通电阻和耐压之间具有更好的理论权衡，这意味着 GaN 器件可以支持更高的电压，而传导损耗比传统硅更低。这是由于 GaN 导电沟道的高电子迁移率，可在不牺牲性能的情况下适应更高工作电压所需的更大漏极和栅极之间的距离。

在此次收购之前，英飞凌是宽带隙技术领域的重要参与者，包括 GaN 和碳化硅(SiC) 产品。

英飞凌早在2015年通过收购International Rectifier获得了与GaN功率器件相关的产品/技术。同年，宣布与松下合作开发GaN功率半导体，开发出第一代联合开发产品“CoolGaN”，采用常关型GaN-on-Si晶体管结构。2021年，他们与松下签订合同，共同开发和制造第二代产品，并宣布计划在2023年上半年推出650V耐压GaN HEMT上市。

2022年2月，英飞凌宣布计划投资20亿欧元，在其位于马来西亚库林的工厂建造第三个厂区，以提高自身在宽禁带半导体（SiC和GaN）领域的制造能力，并进一步增加产能。

2023年1月，英飞凌宣布扩大与碳化硅 (SiC) 供应商的合作，与Resonac Corporation（前身昭和电工）签署了一份新的长期供应与合作协议，补充并扩大了2021年的协议，新的合同将深化双方在碳化硅材料方面的长期合作伙伴关系。

GaN 的商业机会是巨大的。

根据公告，预计到 2027 年 GaN 收入将达到 20 亿美元，年增长率为 56%。与硅和碳化硅一起，GaN 正在成为电源管理应用的重要技术，这些应用越来越需要更高的功率密度、电压和温度范围内的可靠性。