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    长江存储CTO:做小NAND如盖大楼,提升存储密度必经QLC

    编者:张兢轩@电子工程专辑 阅读1154 来源: 电子工程专辑 2024/03/25 02:12:26 文章 外链 公开

    在霍宗亮看来,无论是内存还是闪存,都和建筑行业很相似。“我们给客户提供更大容量的颗粒存储更多数据,建筑行业给住户提供更大的居住面积让更多人住下去。”

    存储行业的发展,离不开对数据产生量的分析。根据第三方研究机构IDC 2018年给出的数据显示,2025年全球数据的产生量将达到175ZB。然而在2023年Q4,IDC刷新了数据,将2025年全球产生的数据上调为181ZB,这意味着2024-2027年全球产生的数据复合增长率(CAGR)将达到22.4%。

    IDC的另一个数据是,2027年全球产生的数据总量或将达到291ZB,这其中并不是每一个数据都是有用的,所以被保存下来的部分占比不足10%。然而就是这10%,也需要用不同形式的存储载体来记录,并最终呈现在每个人面前。

    存储的载体非常多,从早期的磁带,到现在包括半导体存储器在内的各种硬盘。当今半导体存储器的两大支柱分别是内存(主要指DRAM)和闪存(Flash),它们占据了整个半导体存储器95%的市场,而这个市场的总价值已经超过1000亿美金。

    长江存储首席技术官 霍宗亮 博士

    “存储市场周期性非常强,基本上四年一个轮回。从2022年到2023年,无论是闪存还是内存行业都过的非常艰难,但好在今年整个半导体行业已经开始复苏,存储行业也进入了上升期。” 在日前举办的中国闪存市场峰会(CFMS | MemoryS 2024)上,长江存储首席技术官 霍宗亮 博士表示,“在这个上升的过程中,我们终于有机会渡过艰难时刻。”

    存储行业也有摩尔定律

    长江存储目前聚焦NAND Flash领域,面向企业级SSD、消费级SSD和智能手机三大市场,当前以这三大市场为代表的全球闪存总容量需求仍在高速增长,从2023年到2027年,年均复合增长率达到21%,单台设备平均容量复合增长率约20%。预计到2027年,三大主要市场将占据全球闪存需求总量的83%。

    “要满足这个庞大的市场,我们在技术和产品需要做到什么?” 霍宗亮以集成电路行业中著名的摩尔定律为例,所谓摩尔定律,是指处理器的性能每18个月翻倍,同时价格要变成原来的一半,“在闪存行业或者说整个存储行业中,其实也有相似的规律。客户需要更好读写性能、更大容量、更高速度、更低功耗的产品,同时他们也希望在性能提高的同时不增加成本。所以存储芯片提供者需要用每Gb成本下降,来满足客户的需求。”

    无论闪存还是内存,都是“量大面广”的通用产品,需要考虑不同的应用场景,包括企业级、消费级,还是移动端、车载,所用的存储颗粒都是一样的。不同在于市场对存储器的容量、性能、耐用等级有更多更细分的要求,颗粒中的固件因应这些需求也会有所不同。

    做NAND如盖高楼

    存储技术就是在市场需求下不断演进的,在霍宗亮看来,无论是内存还是闪存,都和建筑行业很相似。“我们给客户提供更大容量的颗粒存储更多数据,建筑行业给住户提供更大的居住面积让更多人住下去。早些年,闪存行业其实就是在大批建平房,但客户希望更高密度、更高容量的同时希望价格不变,所以闪存厂商就开始把房子做得越来越小,楼间距越来越密(2D NAND Flash单元尺寸微缩)。平房就这样演变成了高层楼房(3D NAND Flash层数增加)。”

    时间来到2014年,业界发现当闪存颗粒单元尺寸缩小到一定程度时,将面临很多工艺、可靠性方面的挑战,而且成本已经很难控制。同样在2014年,三维闪存(3D NAND Flash)出现了。

    “我们今天的目标是如何盖更高的‘楼’。从32层、64层一直到今天看到超过200层的‘楼’已经盖起来了。当然所有目标只有一个,提高密度、降低成本来满足客户对它的需求。” 霍宗亮说道。

    今天闪存业界探讨最热烈的,就是这‘楼’到底能盖到多高。换句话说,闪存厂商要如何提高存储密度,来满足每年对容量的快速增长。回归技术手段,既然是盖楼,就要看一下在建筑领域如何提高密度。霍宗亮举了几个生动的例子:

    1. 在盖高楼的同时增加层数。这是最简单的方法,在增加层数时考虑到性能或整个建筑的体积,可以把房间层高变小,也就是层厚变薄进而提供更多层数,这是纵向层数的持续增加。

    2. 要提供更多的建筑面积,可以在Z轴方向同时提高密度,把X、Y方向同时缩小。这和建筑行业中,去掉一切冗余的、不宜居的面积同理。持续增加孔密度,减少其他部分,这是横向密度持续增加。

    3. 把容积率提高的情况下,可以把原来的商用面积放到楼下去,房地产有底商的概念,而闪存业界有CUA(CMOS Under Array)等概念。

    QLC是必由之路

    这三种都是为了从架构层面提高密度,采用几何层面的方法。不仅限于几何层面,我们还有物理层面。

    “一个房间里可以住一个人、两个人、三个人甚至更多。QLC就是一个房间里有四个人,这意味着我们要处理不同的状态。” 霍宗亮举了个例子,以SLC来说,这个房间有人和没人,两个状态是1位态;MLC是一个房间有两个人,AB都在、AB不在、A在B不在或B在A不在,这是四种状态,需要两位态;同理,TLC和QLC分别代表住四个人和八个人,带来八位态和十六位态。

    要降低成本,提高密度,需要把上述这些方法串起来使用:层数增加、横向密度扩展、架构变化,同时采用QLC。由于这是业界当前技术能力所能达到的最佳方案,所以QLC成为了提升存储密度的行业共识。

    从市场趋势看,2023年,QLC市场份额在13%左右,预计到2027年的将超过40%。

    霍宗亮认为,QLC刚进入市场,大家一定心有疑虑,“就像早期从SLC转向MLC,或MLC转向TLC时,大家都会问能不能搞定?可靠性有没有问题?这个问题在从TLC向QLC转化时仍然存在。”

    但他同时表示,长江存储作为一家存储容量的提供者,一定在保证满足质量、性能和可靠性的情况下,交付给大家更多的容量。“我们一定会坚守大家所关注的插写次数、数据保存时间、延迟和速度等等。保证这些质量的同时,给大家一个很好的面积。”

    QLC为什么难做?

    如何做到?先要看TLC和QLC的差别在哪儿。

    如下图左边所示,三层楼中的每一层楼、每一个区域,黄色的点作为间隔,每间房里会住三四个人。层与层之间因为降低了层高,所以互相之间是有影响的。“比如房子矮了,我们能闻到上面和下面房间屋里的香味,这就带来了可靠性问题。”霍宗亮表示,“电荷损失机制位可靠性带来了技术挑战,因此我们希望数据是隔离的。”

    如何降低干扰?从上图右边可以看到,一个房间3个人的时候,也就是TLC的8个态,需要准确区分他属哪一个态,这就是闪存颗粒供应商要做的工作,其中要用到大量的算法纠错。

    同样,当一个房间里住4个人的时候,2的4次方为16个态,如何来区分这16个状态,以及数据是否可靠?需要从工艺、器件、算法、设计等多个维度下工夫。

    CMOS和Array分开做

    “相对来说,长江存储的Xtacking(晶栈)是一个更友好的架构。”霍宗亮回忆2016年和团队一起做32层NAND架构时吃尽了苦头,因为刚开始采用传统架构,先做逻辑架构再做存储阵列,“做好存储阵列时,我们发现逻辑架构温度不高,但存储阵列温度非常高。于是我们决定把两个架构分开各自设计,再合二为一。就有了2018年美国闪存峰会上推出的Xtacking架构。”

    据介绍,Xtacking架构实现了不同工艺的解耦,将两个独立设计制造的CMOS电路、Array阵列合二为一,通过混合键合形成牢固的整体,提供了更快的I/O速度、更高的存储密度以及更快的上市周期。

    回顾过去几年,长江存储沿着制定架构努力向前,从Xtacking 1.0、2.0一直到3.0。第一代引入了BDTi、第二代引入NiSi提高性能,第三代引入BSSC提高架构简化工艺。

    传统架构下,热预算限制了外围CMOS电路的技术演进。而Xtacking独立的CMOS为电路设计打开空间,克服了CMOS电路的热预算问题,进而支持更小的器件尺寸、更低的晶体管电压,实现了更高的I/0速度。

    Xtacking独立的CMOS为Array的操作算法提供更大灵活性,那么对于QLC技术而言,是否也有更好?QLC由于层数的增多,有更多的访问电路需要适配,所以Vpass一定要缩小;另一方面,QLC和TLC更多需要状态识别,意味着有更多算法仰仗可靠性。

    霍宗亮表示,Xtacking第三代(X3)和第二代(X2)相比,得到了很好的提升。X2采用传统电压配置,X3则采用灵活电压配置,对阵列端更友好,读取窗口裕度也得到提升。

    闪存存储引入更多态,需要更高可靠性。长江存储用多晶硅代替传统单晶硅做存储,这个制程需要高温退火并引入更多氢元素,传统架构的工艺耦合无法兼顾不同的退火条件。Xtacking独立设计存储阵列在这里体现出来,高温退火优化后的读窗口裕度(可靠性指标)迅速提升。

    第三代Xtacking架构带来提升

    会上,霍宗亮还介绍了长江存储最新推出的基于Xtacking第三代架构的QLC闪存颗粒X3-6070,该QLC颗粒在实现4000次擦写后没有出现任何问题。要知道,QLC在早期刚推出的时候,大家还在担心能否擦写1000次?甚至500次?现在看来,是可以的。

    再与X2时代的QLC做个对比,X3 QLC在存储密度上提高了70%,编程性能提高了90%,I/O速度提高50%,擦写次数达到4000次。这样的参数,已经能够满足大部分场景的应用需求。

    同时在能效方面,长江存储的第三代Xtacking无论是SLC还是QLC,在读写上都有很好的提升。据悉长江存储的的合作伙伴将其NAND颗粒用到企业级SSD中,获得了良好的实测数据。

    QLC的时代正在到来

    “我们认为在目前的场景下,QLC正走向成熟。”霍宗亮说到,在过去几年里,QLC在消费级领域其实已经成熟,“如今企业级合作伙伴也正推出采用Xtacking架构的QLC产品,我们期待手机和更多应用场景能够采用我们的QLC。”

    最后,霍宗亮总结道,过去的一年整个行业很不容易,对长江存储尤其不易。“我们需要坚持使命,为半导体产业贡献核心价值。这个过程尽管艰难,但我们仍然坚持创新,努力发挥架构优势来提供产品的质量;在市场方面,我们也坚持以客户为核心,不断丰富产品组合,与客户共建更好的产品竞争力。”



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