安世半导体 宣布推出 最低导通阻抗,且优化关键性能的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET，

奈梅亨 -- 同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷

Nexperia(安世半导体)， 分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，该项突破并不影响其他重要参数，例如漏极电流 (ID(max))、安全工作区域 (SOA) 或栅极电荷 QG。

很多应用均需要超低导通阻抗，例如 ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制与蓄电池保护等，以便降低 I²R 损耗并提高效率。然而,具备类似导通阻抗的一些同类器件，由于缩小晶圆单元间隔,其SOA(评估MOSFET耐受性的性能)和最大ID额定电流需要降额。安世半导体 的 PSMNR58-30YLH MOSFET 的最大导通阻抗仅 0.67 欧姆,其最大额定漏极电流提升至380A。该参数对电机控制应用尤为重要，因为电机堵转的瞬间会产生超大电涌，MOSFET 必须可以承受这些电涌，才能确保安全可靠运行。一些竞争对手仅提供计算出的 最大ID电流，但安世半导体产品实测持续电流能力高达 380 安培，并且 100% 最终生产测试的持续电流值高达 190 安培。

该器件支持 LFPAK56 (Power-SO8) 和 LFPAK33 (Power33)封装，二者均采用独特的铜夹结构，可吸收热应力，提升质量和可靠性。LFPAK56 封装的 PSMNR58-30YLH， (安世半导体 的 4 引脚 Power-SO8 封装)其安装尺寸仅 30 平方毫米，管脚间距 1.27 毫米。

安世半导体 的 Power MOSFET 产品经理 Steven Waterhouse 先生表示：“安世半导体结合其独有的 NextPowerS3 超结技术与 LFPAK 封装，提供了具有低导通阻抗、高额定 ID 最大电流的 MOSFET，同时不影响其SOA等级、质量和可靠性。这使新元件充分满足要求高性能、高可靠性和高容错性的应用需求。”其中包括无刷直流 (BLDC) 电机控制（全桥式三相拓扑）；ORing 服务器电源、热插拔操作和同步整流；蓄电池保护；手机快速充电和直流负荷开关。

关于新款低导通阻抗 MOSFETS 的更多信息（包括产品规格和资料表）见https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html