罗姆半导体技术优势

罗姆半导体，通过业务活动解决社会问题。

Solution 01：节能和高转换效率，通过提供包括SiC产品在内的世界先进功率元器件和模拟元器件，为解决全球能源问题做出贡献。

Solution 02 ：小型化和节省资源，通过开发基于创新技术的世界超小型“RASMID”系列等小型元器件并投入市场，为解决资源问题贡献力量。

第4代SiC MOSFET

罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在改善短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源等各种应用的小型化和低功耗。

特点

1.在改善短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻

在第4代SiC MOSFET中，通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构，成功地在改善短路耐受时间的前提下，使导通电阻比以往产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。

2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

第4代SiC MOSFET，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

3.支持15V栅源驱动电压，使应用产品的设计更容易

在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压（Vgs）外，第4代SiC MOSFET还支持更容易处理的15V栅源驱动电压，可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路）。

LiDAR LD&OPM 

除了发力碳化硅，罗姆也看中工业自动化中LiDAR产品需求，尤其是中国市场需求。

罗姆在激光二极管市场拥有30年以上的实绩，LiDAR LD&OPM新品已满足大功率、长波长、小型化技术需求，高达7万小时长寿命，实现了业界最高水平的200W/ch的光输出功率，同时有测试技术和客户运用支撑，助力未来AI机器人产业，实现高度自律移动和多种运动控制。

未来，罗姆将持续运用基于科学研究的技术实力，研发并打造“先进产品”，创造推动社会发展的价值。

半导体市场以数字信息设备为轴心发展至今，如今正迎来重要的过渡期。
随着包括电动化在内的汽车电子化及以物联网等为代表的各行各业智能化发展，半导体产品在新领域中的需求正在急速增长。
我们认为，越是在这种从传统的发展路线中找不到解决方案的不确定时期，越应该进一步深化研究开发,以实现“为日本国内外用户源源不断地提供大量优质产品”。
前路漫漫，我们迎难而上，致力于自我激励的研发，积极地“挑战未知”并乐在其中，不断地创造出先进的产品，为社会发展贡献力量。

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