新品发布 | 中瑞宏芯半导体1200V 14mΩ SiC MOSFET正式发布

       近日，随着可靠性测试的完成，中瑞宏芯正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET新产品- HX1M014120K的量产计划，成为国内极少数可批量提供该规格大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的半导体厂商之一。

       产品主要参数与国外主流产品对比如下表所示：

       该产品应头部合作车企的要求，于2022年Q3开始研发，Q4开始下线、测试等工作。考虑到承载的更大电流，当下优先推出了TO-247-4L的封装形式，可以满足光伏储能、新能源车、超级充电桩等相关工业领域的诸多需求。

       值得一提的是在驱动电压方面，中瑞宏芯做到与国际一流产品相匹配，在客户端应用方面可以实现更好的兼容性。此外，HX1M014120K在短路耐受方面也有良好提升，175℃、800V下短路3.5uS安全测试表现，意味着在桥式结构电路应用上的更高可靠性。

短路能力曲线: 175℃,800V下短路3.5uS安全通过

       中瑞宏芯半导体自成立以来，本着对产品性能提升的执着追求，凭借雄厚的技术实力，不断取得SiC JBS和SiC MOSFET研发及产品的突破，目前已形成650V/750V/1200V/1700V完整的产品系列，单从1200V MOSFET来看，就已经成功实现了1200V/14mΩ、1200V/17mΩ、1200V/22mΩ、1200V/40mΩ、1200V/60mΩ、1200V/80mΩ六款产品的量产，针对不同细分市场提供更专业的产品和解决方案，且产品性能均达到国际一流水平，可实现SiC器件的国产替代。

关于我们

中瑞宏芯半导体于2020年由海外归国技术专家和国内功率半导体行业顶尖产品开发团队创办，致力于开发新一代节能高效碳化硅功率芯片和模块。在碳化硅功率半导体领域已全面掌握从芯片设计、仿真建模到测试应用、量产导入全流程know-how，目前研制有碳化硅肖特基二极管JBS和MOSFET功率器件等一系列高端产品，同时掌握多项核心技术。其中团队开发的具有3D结构的碳化硅器件相比目前市场主流产品不仅增加了电流密度，也提高了反向耐压和雪崩能力，尤其适用于新能源汽车、光伏储能及轨道交通领域。

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