MOSFET
N-MOS Trench
产品性能：耐压20-200V, 内阻0.6-260mΩ
优势特点：Trench工艺，具有内阻低，损耗小，IDM&EAS能力优越等特点。
应用领域：控制器/锂电保护(BMS)/快充/适配器/BLDC/消费电子
N-MOS SGT
产品性能：耐压20-200V, 内阻0.6-5mΩ
优势特点：SGT工艺，具有内阻低，损耗小，IDM&EAS能力优越等特点。
应用领域：PD快充/多口充/适配器/控制器/锂电保护(BMS)/工业控制/直流马达控制板
P-MOS
产品性能：耐压20-100V, 内阻2-170mΩ
优势特点：Trench工艺，具有内阻低，损耗小，低开启电压，开关速度快等特点。
应用领域：PD快充/电脑周边/USB扩展坞(HUB)/LED照明/光伏LED路灯
N+P MOS
产品性能：耐压30-100V, 内阻5-150mΩ
优势特点：Trench工艺，具有内阻低，损耗小等特点。
应用领域：无线充/无线充电宝/直流马达风扇
Dual MOS
产品性能：耐压30-100V, 内阻5-30mΩ
优势特点：Trench工艺，具有内阻低，损耗小等特点。
应用领域：无线充/直流马达风扇/马达驱动等
SJ MOS
产品性能：耐压600-650V，内阻21-900mΩ
优势特点：多层外延工艺，具有内阻低，损耗小，Qg小，IDM&EAS能力优越等特点。
应用领域：直流充电桩/大功率电源/通信电源/服务器电源/逆变器/快充/适配器/消费家电等。
GaN MOS
产品性能：耐压650V，内阻低至100mΩ
优势特点：高频高效，高耐压，耐高温，高可靠性；可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。
应用领域：氮化镓锂电池充电器/PD快充/大功率适配器
SiC Diode
SiC MOS
产品性能：耐压65-1200V，内阻低至80mΩ
优势特点：高频高效，高耐压，耐高温，高可靠性；可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。
应用领域：储能/光伏/逆变/车载DC/DC/CDU系统集成